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제1 하부 물질막;상기 제1 하부 물질막 상의 제1 상부 물질막;상기 제1 하부 물질막 및 상기 제1 상부 물질막 사이의 제1 2차원 전자 가스;상기 제1 상부 물질막 상의 제2 하부 물질막;상기 제2 하부 물질막 상의 제2 상부 물질막;상기 제2 하부 물질막 및 상기 제2 상부 물질막 사이의 제2 2차원 전자 가스; 상기 제2 상부 물질막 상의 소스 전극;상기 제2 상부 물질막 상의 드레인 전극;상기 제2 상부 물질막 상의 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 포함하고,상기 제1 상부 물질막의 두께는 상기 제2 상부 물질막의 두께의 0
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제1 항에 있어서,상기 제1 상부 물질막 및 상기 제2 상부 물질막은 알루미늄 산화물을 포함하는 전자 소자
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제2 항에 있어서,상기 제1 상부 물질막의 상기 두께는 2
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제2 항에 있어서,상기 제2 상부 물질막의 상기 두께는 1
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제1 항에 있어서,상기 제1 하부 물질막 및 상기 제2 하부 물질막은 아연 산화물을 포함하는 전자 소자
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제5 항에 있어서,상기 제1 하부 물질막의 두께 및 상기 제2 하부 물질막의 두께는 2
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제1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 하프늄 산화물을 포함하는 전자 소자
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8
제1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 크롬을 포함하고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 티타늄을 포함하는 전자 소자
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9
제1 하부 물질막;상기 제1 하부 물질막 상의 제1 상부 물질막;상기 제1 하부 물질막 및 상기 제1 상부 물질막 사이의 제1 2차원 전자 가스;상기 제1 상부 물질막 상의 제2 하부 물질막;상기 제2 하부 물질막 상의 제2 상부 물질막;상기 제2 하부 물질막 및 상기 제2 상부 물질막 사이의 제2 2차원 전자 가스; 상기 제2 상부 물질막 상의 소스 전극;상기 제2 상부 물질막 상의 드레인 전극;상기 제2 상부 물질막 상의 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 포함하고,상기 제1 2차원 전자 가스는 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 사이의 전위차의 크기가 제1 문턱 전압의 크기보다 커지면 오프되고,상기 제2 2차원 전자 가스는 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 사이의 전위차의 크기가 제2 문턱 전압의 크기보다 커지면 오프되고,상기 제1 문턱 전압의 크기는 상기 제2 문턱 전압의 크기보다 큰 전자 소자
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10
제9 항에 있어서,상기 소스 전극은 상기 제1 및 제2 2차원 전자 가스들에 오믹 컨택되는 전자 소자
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제9 항에 있어서,상기 제1 상부 물질막 및 상기 제2 상부 물질막은 알루미늄 산화물을 포함하는 전자 소자
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12
제11 항에 있어서,상기 제1 상부 물질막의 두께는 2
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제9 항에 있어서,상기 제1 문턱 전압의 상기 크기 및 상기 제2 문턱 전압의 상기 크기 차이에 의해 상기 제2 2차원 전자 가스 및 상기 제1 2차원 전자 가스가 순차적으로 오프되는 전자 소자
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제9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 2차원 전자 가스들이 모두 온인 "로직 2" 상태, 상기 제1 2차원 전자 가스는 온이고 상기 제2 2차원 전자 가스는 오프인 "로직 1" 상태, 또는 상기 제1 및 제2 2차원 전자 가스들이 모두 오프인 "로직 0" 상태로 동작하는 전자 소자
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제9 항에 있어서,상기 제1 2차원 전자 가스 및 상기 제2 2차원 전자 가스는 노멀리 온 채널인 전자 소자
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16
제9 항에 있어서,상기 제1 하부 물질막의 두께 및 상기 제2 하부 물질막의 두께는 2
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제1 하부 물질막;상기 제1 하부 물질막 상의 제1 상부 물질막;상기 제1 하부 물질막 및 상기 제1 상부 물질막 사이의 제1 2차원 전자 가스;상기 제1 상부 물질막 상의 제2 하부 물질막;상기 제2 하부 물질막 상의 제2 상부 물질막;상기 제2 하부 물질막 및 상기 제2 상부 물질막 사이의 제2 2차원 전자 가스; 상기 제2 상부 물질막 상의 소스 전극;상기 제2 상부 물질막 상의 드레인 전극;상기 제2 상부 물질막 상의 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 포함하고,상기 제1 상부 물질막 및 상기 제2 상부 물질막은 알루미늄 산화물을 포함하고,상기 제2 상부 물질막의 두께는 1
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제17 항에 있어서,상기 제1 상부 물질막의 두께는 2
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제18 항에 있어서,상기 제1 상부 물질막의 상기 두께는 상기 제2 상부 물질막의 상기 두께의 0
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제17 항에 있어서,상기 제1 하부 물질막 및 상기 제2 하부 물질막은 아연 산화물을 포함하고,상기 게이트 전극은 크롬을 포함하고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 티타늄을 포함하는 전자 소자
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