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전자 소자

  • 기술번호 : KST2023004506
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 개념에 따른 전자 소자는 하부 물질막; 상기 하부 물질막 상의 상부 물질막; 상기 하부 물질막 및 상기 상부 물질막 사이의 2차원 전자 가스; 상기 상부 물질막 상의 소스 전극; 상기 상부 물질막 상의 드레인 전극; 및 상기 상부 물질막 상의 게이트 전극을 포함한다. 상기 상부 물질막은 상기 소스 전극과 접하는 제1 부분, 상기 게이트 전극과 접하는 제2 부분 및 상기 드레인 전극과 접하는 제3 부분을 포한다. 상기 상부 물질막의 상기 제2 부분의 두께는 상기 상부 물질막의 상기 제1 부분의 두께 및 상기 상부 물질막의 상기 제3 부분의 두께보다 크다. 상기 상부 물질막의 상기 제1 내지 제3 부분들의 상기 두께들을 조절하여 전압 강하 및 문턱 전압을 조절한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/66431(2013.01)
출원번호/일자 1020220120370 (2022.09.22)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단, 아주대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0044957 (2023.04.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210127248   |   2021.09.27
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.09.22)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
2 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태주 경기도 안산시 상록구
2 이상운 경기도 용인시 기흥구
3 석태준 경기도 안산시 상록구
4 최지현 경기도 이천시 안

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2022-1001441-76
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5237662-24
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-1198506-19
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번호 청구항
1 1
하부 물질막;상기 하부 물질막 상의 상부 물질막;상기 하부 물질막 및 상기 상부 물질막 사이의 2차원 전자 가스;상기 상부 물질막 상의 소스 전극;상기 상부 물질막 상의 드레인 전극; 및상기 상부 물질막 상의 게이트 전극을 포함하고,상기 상부 물질막은 상기 소스 전극과 접하는 제1 부분, 상기 게이트 전극과 접하는 제2 부분 및 상기 드레인 전극과 접하는 제3 부분을 포함하고,상기 상부 물질막의 상기 제2 부분의 두께는 상기 상부 물질막의 상기 제1 부분의 두께 및 상기 상부 물질막의 상기 제3 부분의 두께보다 큰 전자 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 상부 물질막은 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물 또는 아연 황화물을 포함하는 전자 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 하부 물질막은 아연 산화물을 포함하는 전자 소자
4 4
제3 항에 있어서,상기 하부 물질막의 두께는 2
5 5
제1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 크롬을 포함하고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 티타늄을 포함하는 전자 소자
6 6
제1 항에 있어서,상기 소스 전극은 상기 2차원 전자 가스에 오믹 컨택되는 전자 소자
7 7
제1 항에 있어서,상기 상부 물질막의 상기 제2 부분은 상기 상부 물질막의 상기 제1 및 제3 부분들 사이에 배치되는 전자 소자
8 8
제7 항에 있어서,상기 상부 물질막의 상기 제1 부분의 상면의 레벨 및 상기 상부 물질막의 상기 제3 부분의 상면의 레벨은 상기 상부 물질막의 상기 제2 부분의 상면의 레벨보다 낮은 전자 소자
9 9
아연 산화물막;상기 아연 산화물막 상의 알루미늄 산화물막;상기 아연 산화물막 및 상기 알루미늄 산화물막 사이의 2차원 전자 가스;상기 알루미늄 산화물막 상의 소스 전극;상기 알루미늄 산화물막 상의 드레인 전극; 및상기 알루미늄 산화물막 상의 게이트 전극을 포함하고,상기 알루미늄 산화물막은 상기 소스 전극과 접하는 제1 부분 및 상기 게이트 전극과 접하는 제2 부분을 포함하고,상기 알루미늄 산화물막의 상기 제2 부분의 두께는 상기 알루미늄 산화물막의 상기 제1 부분의 두께보다 큰 전자 소자
10 10
제9 항에 있어서,상기 소스 전극은 상기 2차원 전자 가스에 오믹 컨택되는 전자 소자
11 11
제9 항에 있어서,상기 알루미늄 산화물막은 저항으로 작용하여 전압 강하를 발생시키는 전자 소자
12 12
제9 항에 있어서,상기 알루미늄 산화물막은 상기 드레인 전극과 접하는 제3 부분을 더 포함하고,상기 알루미늄 산화물막의 상기 제2 부분의 상기 두께는 상기 알루미늄 산화물막의 상기 제3 부분의 두께보다 큰 전자 소자
13 13
제12 항에 있어서,상기 알루미늄 산화물막의 상기 제1 부분의 상기 두께, 상기 알루미늄 산화물막의 상기 제2 부분의 상기 두께 및 상기 알루미늄 산화물막의 상기 제3 부분의 상기 두께의 조절에 따라 전압 강하가 조절되는 전자 소자
14 14
제12 항에 있어서,상기 알루미늄 산화물막의 상기 제1 부분의 상기 두께 및 상기 알루미늄 산화물막의 상기 제3 부분의 상기 두께가 상기 알루미늄 산화물막의 상기 제2 부분의 상기 두께보다 얇음에 따라 전압 강하가 감소되는 전자 소자
15 15
제9 항에 있어서,상기 2차원 전자 가스는 노멀리 온 채널인 전자 소자
16 16
제15 항에 있어서,상기 2차원 전자 가스는 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 사이의 전위차가 문턱 전압보다 커지면 오프되는 전자 소자
17 17
하부 물질막;상기 하부 물질막 상의 상부 물질막;상기 하부 물질막 및 상기 상부 물질막 사이의 2차원 전자 가스;상기 상부 물질막 상의 소스 전극;상기 상부 물질막 상의 드레인 전극; 및상기 상부 물질막 상의 게이트 전극을 포함하고,상기 상부 물질막은 상기 소스 전극과 접하는 제1 부분 및 상기 게이트 전극과 접하는 제2 부분을 포함하고, 상기 상부 물질막의 상기 제2 부분의 두께는 상기 상부 물질막의 상기 제1 부분의 두께보다 크고,상기 소스 전극은 상기 2차원 전자 가스에 오믹 컨택되는 전자 소자
18 18
제17 항에 있어서,상기 상부 물질막은 알루미늄 산화물막, 하프늄 산화물막 또는 아연 황화물막인 전자 소자
19 19
제17 항에 있어서,상기 하부 물질막은 아연 산화물을 포함하고,상기 하부 물질막의 두께는 2
20 20
제17 항에 있어서,상기 상부 물질막의 상기 제1 부분의 상기 두께가 상기 상부 물질막의 상기 제2 부분의 상기 두께보다 얇음에 따라 상기 2차원 전자 가스의 문턱 전압이 상대적으로 낮은 전자 소자
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3 US20230101276 US 미국 FAMILY

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1 KR20230044958 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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