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1
플라즈마 처리에 의해 표면이 개질된 지르코니아 소재
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2
제1 항에 있어서,상기 소재는 치과용인, 표면이 개질된 지르코니아 소재
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3
제1 항에 있어서,상기 소재는 표면 C/O 비율이 1 내지 3인, 표면이 개질된 지르코니아 소재
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4
제1 항에 있어서,상기 플라즈마는 대기압 조건에서 형성된 플라즈마인, 표면이 개질된 지르코니아 소재
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5
제1 항에 있어서, 상기 플라즈마는 N2 또는 N2/Ar를 캐리어 가스로 포함하는, 표면이 개질된 지르코니아 소재
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6
제5 항에 있어서,상기 N2/Ar의 혼합 가스는 N2 및 Ar을 1~5:5~50의 몰비로 포함하는, 표면이 개질된 지르코니아 소재
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7
제1 항에 있어서,상기 소재는, 플라즈마로 0
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8
플라즈마 처리에 의해 표면이 개질된 치과용 지르코니아 임플란트
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9
제8 항에 있어서,상기 임플란트는 표면 C/O 비율이 1 내지 3인, 치과용 지르코니아 임플란트
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10
제8 항에 있어서,상기 플라즈마는 대기압 조건에서 형성된 플라즈마인, 치과용 지르코니아 임플란트
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11
제8 항에 있어서, 상기 플라즈마는 N2 또는 N2/Ar를 캐리어 가스로 포함하는, 치과용 지르코니아 임플란트
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12
(a) 플라즈마 발생 장치에 캐리어 가스를 충진하는 단계;(b) 상기 플라즈마 발생 장치에서 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 (c) 상기 발생된 플라즈마를 지르코니아에 조사하는 단계를 포함하는, 지르코니아 소재의 표면 개질 방법
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13
제12 항에 있어서,상기 표면 개질된 지르코니아 소재의 표면 C/O 비율은 1 내지 3인, 지르코니아 소재의 표면 개질 방법
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14
제12 항에 있어서, 상기 소재는 치과용인, 지르코니아 소재의 표면 개질 방법
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15
제12 항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 N2 또는 N2/Ar인, 지르코니아 소재의 표면 개질 방법
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16
제12 항에 있어서,상기 (b) 단계의 플라즈마는 상기 플라즈마 발생 장치에 0
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17
제12 항에 있어서,상기 (b) 단계에서 발생된 플라즈마는 상온 및 대기압의 조건에서 방사되는, 지르코니아 소재의 표면 개질 방법
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18
제12 항에 있어서,상기 (c) 단계의 플라즈마는 상기 지르코니아에 0
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19
(a) 지르코니아 소재로 구성된 임플란트를 준비하는 단계;(b) 플라즈마 발생 장치에 캐리어 가스를 충진하는 단계; (c) 상기 플라즈마 발생 장치에서 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 (d) 상기 발생된 플라즈마를 상기 단계 (a)의 임플란트에 조사하는 단계를 포함하는, 표면이 개질된 치과용 임플란트의 제조방법
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20
제19 항에 있어서,상기 표면이 개질된 치과용 임플란트의 표면 C/O 비율은 1 내지 3인, 표면이 개질된 치과용 임플란트의 제조방법
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21
제19 항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 N2 또는 N2/Ar인, 표면이 개질된 치과용 임플란트의 제조방법
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22
제19 항에 있어서,상기 (c) 단계의 플라즈마는 상기 플라즈마 발생 장치에 0
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23
제19 항에 있어서,상기 (c) 단계에서 발생된 플라즈마는 상온 및 대기압의 조건에서 방사되는, 표면이 개질된 치과용 임플란트의 제조방법
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24
제19 항에 있어서,상기 (d) 단계의 플라즈마는 상기 임플란트에 0
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