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경화성 인광 호스트;경화성 인광 도펀트; 및상기 경화성 인광 호스트 및 상기 경화성 인광 도펀트와 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조를 형성하는 유기 실리카 전구체;를 포함하고,상기 경화성 인광 호스트 및 상기 경화성 인광 도펀트는 가교 기능단을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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제1항에 있어서,상기 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조는 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 SPN(Single Phase Network)이고,상기 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 SPN은 경화성 인광 호스트, 경화성 인광 도펀트 및 유기실리카 전구체의 동시 가교 반응에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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제1항에 있어서,상기 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조는 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 IPN(Interpenetrating Polymer Network)이고,상기 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 IPN은 경화성 인광 호스트와 경화성 인광 도펀트의 동시 가교 반응 및 유기 실리카 전구체 간의 선택적 가교 반응에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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제1항에 있어서,상기 가교 기능단은 비닐기, 비닐기 유도체, 옥세탄기, 보론산기(Boronic acid), 트라이플루오로 비닐 에테르, 벤조사이클로부텐 및 에폭사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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제4항에 있어서,상기 가교 기능단은 하기 화학식 4 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시되는 기능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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제1항에 있어서,상기 경화성 인광 도펀트는 상기 가교 기능단이 결합된 금속 착제 화합물이고,상기 금속 착제 화합물은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로폼(Eu), 터븀(Tb), 팔라듐(Pd) 또는 틀륨(Tm) 중 적어도 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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7
제6항에 있어서,상기 경화성 인광 도펀트는 하기 화학식 10 및 화학식 11 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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8
제7항에 있어서,상기 유기 발광 복합체는 상기 경화성 인광 도펀트의 함량에 따라 발광 강도 및 전하 수명이 조절되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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9
제8항에 있어서,상기 경화성 인광 도펀트의 함량은 상기 유기 발광 복합체를 기준으로 0
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제1항에 있어서,상기 경화성 인광 호스트는 상기 가교 기능단이 결합된 호스트 화합물이고,상기 호스트 화합물은 카바졸계 화합물, 안트라센계 화합물, 플루오렌계 화합물, 트리아릴아민계 화합물, 디벤조퓨란계 화합물, 디벤조티오펜계 화합물, 디벤조실롤계 화합물, 트리아진계 화합물, 트리아졸계, 이미다졸계, 옥사진계 화합물, 아릴아민계 화합물, 히드라존계 화합물, 스틸벤계 화합물, 스타버스트계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 포스핀 옥사이드계 화합물, 비피리미딘계 화합물, 실란계 화합물 및 카볼린계 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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제10항에 있어서,상기 경화성 인광 호스트는 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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제1항에 있어서,상기 유기 실리카 전구체는 하기 화학식 12 내지 화학식 22 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 복합체
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기판 상에 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 복합체를 포함하는 유기 발광 박막을 형성하는 단계;상기 유기 발광박막 상에 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로서 이용하여 상기 유기 발광박막을 건식 식각하여 유기 발광 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광박막의 패터닝 방법
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제13항에 있어서,상기 유기 발광 복합체는 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조를 포함하고,상기 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조는 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 SPN(Single Phase Network) 및 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-)이 결합된 IPN (Interpenetrating Polymer Network) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 발광 박막의 패터닝 방법
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제14항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로서 이용하여 상기 유기 발광박막을 건식 식각하여 유기 발광 패턴을 형성하는 단계는,상기 유기 발광박막이 유기 발광 복합체의 실리콘(Silicone, -Si-O-Si-) 네트워크 구조에 의해 상기 유기 발광 패턴의 측면에 비휘발성 블로킹 층(non-volatile blocking layer)이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 박막의 패터닝 방법
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제15항에 있어서,상기 비휘발성 블로킹 층은 SixOy 및 SixOyFz(상기 x, y 및 z는 1 내지 4의 정수임)중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 박막의 패터닝 방법
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17
제13항에 있어서,상기 유기 발광 패턴의 크기는 10 nm 내지 1000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 유기 발광박막의 패터닝 방법
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18
제1 전극;제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되고, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 복합체를 포함하는 유기 발광층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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제18항에 있어서,상기 유기 발광층은 적색 유기 발광 패턴, 녹색 유기 발광 패턴 및 청색 유기 발광 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자
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20
경화성 인광 호스트;경화성 인광 도펀트; 및유기 실리카 전구체;를 포함하는 유기발광 조성물
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21
삭제
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제20항에 있어서, 상기 유기발광 조성물은,상기 유기 실리카 전구체를 경화성 인광 호스트 중량 대비 1
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