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전자기 간섭 차폐 물질로서,기재; 및상기 기재의 표면에 형성된 은 나노 입자 코팅층을 포함하며,상기 코팅층의 두께는 100 nm 내지 2
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제1항에 있어서,상기 기재는 박막 형상인 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질
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제1항에 있어서,상기 기재는 폴리이미드로, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아릴레이트 및 폴리카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 고분자인 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질
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제1항에 있어서,상기 코팅층은 복수개의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질
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제1항에 있어서,상기 코팅층의 두께는 500 nm 내지 1
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제1항에 있어서,상기 환원제 용액은 수소화붕소나트륨, 수소화알루미늄리튬, 아황산나트륨, 하이드라진, 옥살산 및 아스코르빈산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질
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기재 표면에 은 나노 입자 용액으로 코팅하는 단계(S10);상기 은 나노 입자 용액으로 코팅된 기재를 암모늄염 용액을 이용하여 리간드 교환시키는 단계(S20); 및상기 S20 단계 이후에, 은 나노 입자 용액으로 코팅된 기재를 환원제 용액을 이용하여 환원시키는 단계(S30)를 포함하고,상기 암모늄염 용액은 할로겐화 암모늄염을 포함하며,상기 할로겐화 암모늄염은 브롬화테트라부틸암모늄, 염화테트라부틸암모늄, 불화테트라부틸암모늄 및 요오드화부틸암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,제1항에 따른 전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 S10 단계 이전에 상기 기재의 표면 개질 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 기재의 표면 개질 단계는, 아미노 실란계 용액을 이용하여 상기 기재의 표면에 아미노기를 결합시키는 것을 특징으로 하는, 전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 아미노 실란계 용액은 (3-아미노프로필)트리에톡시실란 (3-아미노프로필)트리메톡시실란, [3-(메틸아미노)프로필]트리메톡시실란, [3-(디에틸아미노)프로필]트리메톡시실란, [3-(2-아미노에틸)아미노프로필]트리메톡시실란 및 3-[2-(2-아미노에틸아미노)에틸아미노]프로필-트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 S20 단계에서, 상기 리간드 교환을 통해 상기 은 나노 입자의 주변에 존재하던 유기 리간드가 상기 할로겐화 암모늄염의 할로겐기로 대체되는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 환원제 용액은 수소화붕소나트륨, 수소화알루미늄리튬, 아황산나트륨, 하이드라진, 옥살산 및 아스코르빈산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 S10 단계 내지 S30 단계는 순차적으로 1회 또는 2회 내지 10회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 S20 단계에서, 상기 유기 리간드가 할로겐기로 대체되면서, 은 나노 입자 간의 간격이 짧아지는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 S20 단계와 S30 단계 사이에 상기 은 나노 입자 용액으로 코팅된 기재를 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,전자기 간섭 차폐 물질 제조 방법
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