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공기 중에서 바나듐 광석을 600 ℃ 내지 900 ℃의 온도에서 1차 배소하여 상기 바나듐 광석에 포함되어 있는 3가의 바나듐이 5가의 산화물 형태로 전환하고, 바나듐 광석의 중앙부에 존재하는 바나듐을 상기 바나듐 광석의 표면으로 이동시키는 단계(S10);상기 1차 배소된 바나듐 광석 100 중량부에 대해서 나트륨계 염을 6 중량부 내지 15 중량부로 혼합하여 2차 배소하는 단계(S20); 및상기 2차 배소된 바나듐 광석을 침출하여 침출액과 잔사를 분리하는 단계(S30)를 포함하고,상기 S30 단계를 60 분 수행하였을 때, 상기 침출액에 포함된 나트륨의 농도는 623 mg/L 내지 1096 mg/L 이며,상기 S30 단계를 60 분 수행하였을 때, 상기 침출액에 포함된 알루미늄의 농도는 50 mg/L 내지 133 mg/L 인 것을 특징으로 하는바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 바나듐 광석은 바나듐 이외에, 철, 티타늄, 알루미늄, 인, 칼륨, 마그네슘 및 실리카로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 나트륨계 염은 탄산나트륨, 황산나트륨, 염화나트륨, 수산화나트륨, 중탄산나트륨, 규산나트륨, 인산나트륨, 스테아르산나트륨, 벤조산나트륨, 옥살산나트륨, 시트르산나트륨 및 아세트산나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 S10 단계에서, 상기 바나듐 광석의 평균 입도는 30 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는, 바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 1차 배소된 바나듐 광석 100 중량부에 대해서 상기 나트륨계 염은 8 중량부 내지 12 중량부로 혼합되는 것을 특징으로 하는, 바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 S20 단계에서, 상기 5가의 산화물 형태의 바나듐이 바나듐산 나트륨염으로 전환되는 것을 특징으로 하는,바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 S20 단계는 300 ℃ 내지 1300 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 S20 단계 이후에, 상기 2차 배소된 바나듐 광석을 분쇄하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 침출액은 물을 포함하는 것을 특징으로 하는,바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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제1항에 있어서,상기 S30 단계를 5분 이상 수행하였을 때, 상기 침출액에 포함된 실리카의 농도는 30 mg/L 이하인 것을 특징으로 하는,바나듐 광석의 다단 배소-침출을 통한 바나듐 침출 방법
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