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PV 스트링의 + 및 -와 접지 사이의 기생커패시턴스를 더한 전체 기생커패시턴스값을 통해 + 또는 - 단자에 연결된 PV 모듈의 수를 계산하는 단계;상기 PV 스트링의 전압 Vs가 0(zero)이 될 경우 단선이 발생한 것으로 판단하고, + 및 -와 접지 사이의 기생커패시턴스를 측정하는 단계; 인버터를 통해 수학식 7을 이용하여 단선 위치를 계산하는 단계;상기 PV 스트링에서 단선이 발생하지 않을 경우 + 또는 -와 접지 사이에 연결된 PV 모듈의 수는 같으므로 수학식 4와 같이 같은 크기의 기생커패시턴스가 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 PV 스트링에서 중간에 단선이 발생할 경우 PV 스트링의 +및 -와 접지 사이에 연결된 모듈의 수가 변화되며, PV 모듈은 개방상태가 되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 PV 스트링의 + 및 -와 접지 사이의 기생커패시턴스는 각각 연결된 모듈의 수에 따라 수학식6으로 결정되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제1항에 있어서,상기 PV 스트링의 전압(Vs)은 중간에 발생한 단선으로 인해 0(zero)가 되는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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PV 스트링의 전압 Vs가 0(zero)이 될 경우 단선이 발생한 것으로 판단하고, + 및 -와 접지 사이의 기생커패시턴스를 측정하며, 인버터로 수학식 7을 이용하여 단선 위치를 계산하는 단계; 및상기 기생커패시턴스 성분은 크게 태양전지와 전면유리 사이와 태양전지와 모듈 프레임 사이(C1, C2)의 값을 계산하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제5항에 있어서,상기 기생커패시턴스는 병렬 연결되어 있어 전체 기생커패시턴스를 수학식 1로 계산하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제5항에 있어서,상기 각각의 기생커패시턴스는 아래 수학식 2로 계산되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제7항에 있어서,상기 수학식 2의 4가지 변수 중에서 는 상수 값을 가지고, 은 기생커패시턴스를 구성하는 물질에 의해 결정되며 기생커패시턴스 두 극판 사이의 거리는 PV 모듈 설계에서 결정되고, , 는 제작이 완료된 PV 모듈의 경우 변화하지 않는 상수가 되며, 정전용량의 유효표면적()은 연결된 PV 모듈의 수가 증가할 수록 비례적으로 증가하기 때문에 기생커패시턴스는 PV 모듈의 연결수에 비례하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제5항에 있어서,M 개의 PV 모듈이 연결된 PV 스트링에 대한 기생커패시턴스는 연결된 PV 모듈의 수에 비례하기 때문에 PV 스트링의 기생커패시턴스는 수학식 3과 같은 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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제5항에 있어서, 상기 PV 스트링의 양극(+, -)과 접지 사이의 커패시터를 나타내는 , 는 +(positive) 및 -(negative)가 하나의 전기적 도체이므로 기생커패시턴스와의 거리 및 유효 표면적이 같으므로 아래 수학식 4와 같은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘을 이용한 검출 방법
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태양전지;상기 태양전지로 이루어진 PV 모듈의 전기전도성 표면;PV 모듈의 전기전도성 표면 및 태양전지 사이에 정전용량을 형성하는 기생커패시턴스;를 포함하고,상기 PV 모듈에서 단선 고장이 발생할 경우 고주파수의 신호를 주입하여 기생커패시턴스의 크기를 측정하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제11항에 있어서,PV 모듈에서 생산된 직류 전력을 교류로 변환시키기 위한 인버터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제12항에 있어서,상기 인버터의 스위칭에 따라 상기 기생커패시턴스에 의한 임피던스 성분을 감소시키는 고주파 성분이 PV 모듈, 어레이 및 스트링을 통해 누설되는 누설전류;를 측정하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제11항에 있어서,상기 PV 모듈에서 + 및 -와 접지 사이의 기생커패시턴스를 더한 전체 기생커패시턴스값을 통해 + 또는 - 단자에 연결된 PV 모듈의 수를 계산하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제11항에 있어서,상기 측정된 크기에 따라 단선 고장이 발생한 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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PV 모듈의 전기전도성 표면 및 태양전지 사이에 정전용량을 형성하는 기생커패시턴스;상기 기생커패시턴스를 감지하여 단선 고장 위치를 판별하는 인버터;를 포함하고,상기 기생커패시턴스를 측정하며, 수학식 7을 이용하여 단선 위치를 계산하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제16항에 있어서,상기 PV 모듈을 포함하는 PV 스트링의 + 및 -와 접지 사이의 기생커패시턴스를 측정하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제16항에 있어서,PV 스트링의 전압 Vs가 0(zero)이 될 경우 단선이 발생한 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제16항에 있어서,상기 기생커패시턴스는,상기 태양전지의 태양전지셀과 전면 유리 레이어(Glass Layer)사이의 기생커패시턴스(C1);상기 태양전지셀과 태양전지 프레임 사이의 기생커패시턴스(C2);를 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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제19항에 있어서,상기 태양전지셀의 실리콘 레이어(Silicon Layer)와 전기적으로 절연된 태양전지 프레임;상기 태양전지셀의 실리콘 레이어(Silicon Layer)와 전기적으로 절연되고 태양 전지를 지지하는 지지대;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PV 시스템의 단선 고장 위치를 검출하기 위한 기생커패시턴스 탐지 알고리즘이 포함된 시스템
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