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증기셀;상기 증기셀의 일 말단으로 입사되는 조사광을 조사하는 조사광원;상기 증기셀의 타 말단으로 입사되는 결합광을 조사하는 결합광원;상기 증기셀을 통과한 결합광을 반사시켜 상기 증기셀의 일 말단으로 입사시키는 반사부;상기 증기셀의 일 측면으로 입사되는 전자파를 발생시키는 전자파 발생부; 및상기 증기셀에서 방출되는 반사광을 검출하는 반사광 검출부를 포함하는 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출시스템
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제 1 항에 있어서,상기 결합광의 파장은 479 nm 내지 489 nm인 것인 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출시스템
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제 1 항에 있어서,상기 증기셀의 일 말단과 상기 반사부의 사이에 배치되며, 상기 증기셀을 통과한 결합광이 통과되는 이색거울을 더 포함하는 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출시스템
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제 1 항에 있어서,상기 증기셀로 입사되는 조사광 또는 결합광을 평행광으로 변환하는 시준기를 더 포함하는 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출시스템
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제 1 항에 있어서,상기 반사광 검출부는,상기 증기셀에서 방출된 반사광의 세기를 측정하는 반사광 측정부;상기 증기셀에 입사된 전자파에 의한 반사광의 변화량을 산출하는 반사광 변화량 산출부; 및상기 반사광의 변화량을 기준으로 상기 증기셀에 입사된 전자파의 세기 및 위상을 산출하는 전자파 산출부를 더 포함하는 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출시스템
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조사광과 결합광을 증기셀에 서로 반대방향으로 입사시켜, 리드버그 전자기 유도 투과신호가 발생되는 전자기 유도 투과신호 발생단계;반사부를 통해 상기 증기셀을 통과한 결합광이 반사되고, 반사된 결합광을 상기 증기셀에 입사시켜 정상파가 생성되는 정상파 생성단계;상기 증기셀에 입사되는 조사광의 각도를 조절하여 상기 증기셀에서 반사광이 방출되는 반사광 발생단계; 및전자파 발생부를 통해 상기 증기셀에 전자파를 입사시키고, 이로 인한 반사광의 변화량을 기준으로, 상기 전자파의 세기 및 위상을 산출하는 전자파 산출단계를 포함하는 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출방법
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제 6 항에 있어서,상기 결합광의 파장은 479 nm 내지 489 nm인 것인 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출방법
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제 6 항에 있어서,상기 정상파 생성단계에서, 상기 결합광은, 이색거울을 통과한 다음 상기 반사부를 이용하여 반사되는 것인 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출방법
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제 6 항에 있어서,상기 전자파 산출단계는,반사광 측정부를 통해 상기 증기셀에서 방출된 반사광이 측정되는 단계;전자파 발생부를 통해 상기 증기셀에 전자파를 입사시키는 단계;상기 변화량 산출부를 통해 상기 증기셀에 입사된 전자파에 의한 반사광의 변화량이 산출되는 단계; 및상기 전자파 산출부를 통해 상기 반사광의 변화량을 기준으로 상기 전자파의 세기 및 위상이 산출되는 단계를 더 포함하는 전자기 유도 격자 기반 전기장 검출방법
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