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플라즈마 진단 장치에 있어서, 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 수신하는 송수신안테나 내장 센서; 상기 송수신안테나 내장 센서의 마이크로웨이브를 분석하는 마이크로웨이브 분석기;를 포함하고, 상기 송수신안테나 내장 센서는, 진공챔버 내의 소정의 위치에서 1
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제 1 항에 있어서, 투광창을 통하여 플라즈마로부터 방출되는 광을 감지하는 광방출 감지 센서; 상기 광방출 감지 센서에서 감지하는 광의 파장 및 세기를 분석하는 광방출 분광기; 플라즈마 공정을 제어하는 플라즈마 공정 분석부;를 더 포함하고, 상기 플라즈마 공정 분석부는 상기 광방출 분광기에서 분석하는 광의 파장에 따른 세기가 감소하고, 상기 마이크로웨이브 분석기에서 분석하는 마이크로웨이브에 변화가 없는 경우에 광방출 감지 센서의 측정 오류를 보상하거나 진공챔버의 클리닝 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 플라즈마 공정 분석부는 상기 광방출 분광기에서 분석하는 광의 파장에 따른 세기가 감소하고, 상기 마이크로웨이브 분석기에서 분석하는 마이크로웨이브에 변화가 발생하는 경우에 플라즈마 공정의 외부변수인 플라즈마 발생을 위한 인가 전력, 가스 압력, 가스 유량비, 인가 전력 비율 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 2 항에 있어서, 진공챔버 내의 온도를 감지하는 온도 센서; 상기 온도 센서에서 감지하는 진공챔버 내의 온도를 분석하는 온도 분석기;를 더 포함하고, 상기 온도 분석기에 의하여 진공챔버, 기판 지지부, 에지링 중 적어도 하나의 온도가 사전 설정된 온도 범위를 벗어나는 것으로 판단되는 경우에 상기 플라즈마 공정 분석부는 플라즈마 공정의 외부변수인 플라즈마 발생을 위한 인가 전력 또는 가스 압력를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 송수신안테나 내장 센서는 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 플라즈마를 투과하는 마이크로웨이브를 수신하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 송수신안테나 내장 센서는 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 플라즈마로부터 반사되는 마이크로웨이브를 수신하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 송수신안테나 내장 센서 및/또는 상기 온도 센서는 상기 투광창에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 송수신안테나 내장 센서 및/또는 상기 온도 센서는 센서 내장부에 매립되어 상기 투광창에 인접되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 송수신안테나 내장 센서 및/또는 상기 온도 센서는 상기 투광창에 밀착 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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10
제 2 항에 있어서, 상기 투광창에 가열부재가 밀착 설치되어 상기 투광창의 오염을 방지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 투광창에 광가이드부재가 밀착 설치되어 상기 투광창의 오염을 방지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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12
플라즈마 진단 장치에 있어서, 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 수신하는 송수신안테나 내장 센서; 상기 송수신안테나 내장 센서의 마이크로웨이브를 분석하는 마이크로웨이브 분석기; 투광창을 통하여 플라즈마로부터 방출되는 광을 감지하는 광방출 감지 센서; 상기 광방출 감지 센서에서 감지하는 광의 파장 및 세기를 분석하는 광방출 분광기; 플라즈마 공정을 제어하는 플라즈마 공정 분석부;를 포함하고, 상기 플라즈마 공정 분석부는 상기 광방출 분광기에서 분석하는 광의 파장에 따른 세기가 감소하고, 상기 마이크로웨이브 분석기에서 분석하는 마이크로웨이브에 변화가 발생하는 경우에 플라즈마 공정의 외부변수인 플라즈마 발생을 위한 인가 전력, 가스 압력, 가스 유량비, 인가 전력 비율 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 진단 장치
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제 12 항에 있어서, 상기 송수신안테나 내장 센서는 1
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플라즈마 진단 장치를 포함하는 플라즈마 공정 시스템에 있어서, 플라즈마를 생성하는 진공챔버; 기판을 지지하는 기판지지부; 상기 진공챔버의 벽면에 형성되는 투광창; 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 수신하는 송수신안테나 내장 센서; 상기 송수신안테나 내장 센서의 마이크로웨이브를 분석하는 마이크로웨이브 분석기; 플라즈마로부터 방출되는 광을 감지하는 광방출 감지 센서; 상기 광방출 감지 센서에서 감지하는 광의 파장 및 세기를 분석하는 광방출 분광기; 플라즈마 공정을 제어하는 플라즈마 공정 분석부;를 포함하고, 상기 플라즈마 공정 분석부는 상기 광방출 분광기에서 분석하는 광의 파장에 따른 세기가 감소하고, 상기 마이크로웨이브 분석기에서 분석하는 마이크로웨이브에 변화가 없는 경우에 광방출 감지 센서의 측정 오류를 보상하거나 진공챔버의 클리닝 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 시스템
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플라즈마 진단 장치를 포함하는 플라즈마 공정 시스템에 있어서, 플라즈마를 생성하는 진공챔버; 기판을 지지하는 기판지지부; 상기 진공챔버의 벽면에 형성되는 투광창; 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 수신하는 송수신안테나 내장 센서; 상기 송수신안테나 내장 센서의 마이크로웨이브를 분석하는 마이크로웨이브 분석기; 플라즈마로부터 방출되는 광을 감지하는 광방출 감지 센서; 상기 광방출 감지 센서에서 감지하는 광의 파장 및 세기를 분석하는 광방출 분광기; 플라즈마 공정을 제어하는 플라즈마 공정 분석부;를 포함하고, 상기 플라즈마 공정 분석부는 상기 광방출 분광기에서 분석하는 광의 파장에 따른 세기가 감소하고, 상기 마이크로웨이브 분석기에서 분석하는 마이크로웨이브에 변화가 발생하는 경우에 플라즈마 공정의 외부변수인 플라즈마 발생을 위한 인가 전력, 가스 압력, 가스 유량비, 인가 전력 비율 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 시스템
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플라즈마 공정 방법에 있어서, 송수신안테나 내장 센서에서 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 수신하는 단계; 마이크로웨이브 분석기에서 상기 송수신안테나 내장 센서의 마이크로웨이브를 분석하는 단계; 광방출 감지 센서에서 플라즈마로부터 방출되는 광을 감지하는 단계; 광방출 분광기에서 상기 광방출 감지 센서에서 감지하는 광의 파장 및 세기를 분석하는 단계; 플라즈마 공정 분석부에서 상기 광방출 분광기에서 분석하는 광의 파장에 따른 세기가 감소하고, 상기 마이크로웨이브 분석기에서 분석하는 마이크로웨이브에 변화가 없는 경우에 광방출 감지 센서의 측정 오류를 보상하거나 진공챔버의 클리닝 여부를 판단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 방법
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플라즈마 공정 방법에 있어서, 송수신안테나 내장 센서에서 가변 주파수의 마이크로웨이브를 송신하고 수신하는 단계; 마이크로웨이브 분석기에서 상기 송수신안테나 내장 센서의 마이크로웨이브를 분석하는 단계; 광방출 감지 센서에서 플라즈마로부터 방출되는 광을 감지하는 단계; 광방출 분광기에서 상기 광방출 감지 센서에서 감지하는 광의 파장 및 세기를 분석하는 단계; 플라즈마 공정 분석부는 상기 광방출 분광기에서 분석하는 광의 파장에 따른 세기가 감소하고, 상기 마이크로웨이브 분석기에서 분석하는 마이크로웨이브에 변화가 발생하는 경우에 플라즈마 공정의 외부변수인 플라즈마 발생을 위한 인가 전력, 가스 압력, 가스 유량비, 인가 전력 비율 중 적어도 하나를 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 방법
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제 16 항 또는 제 17 항의 플라즈마 공정 방법을 실행시키기 위하여 저장매체에 기록되는 컴퓨터프로그램
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