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1
도핑농도 또는 결정성 측정 장치에 있어서, 주파수가 가변되는 마이크로웨이브를 진공챔버 내에 인가하는 송신 안테나; 상기 마이크로웨이브를 수신하는 수신 안테나; 상기 수신 안테나에서 수신하는 상기 마이크로웨이브로부터 상기 기판의 도핑영역의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하여 상기 도핑영역의 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)을 예측하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 측정 장치
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2
제 1 항에 있어서, 상기 도핑영역의 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)을 예측하기 위하여, 상기 송신 안테나에 주파수가 가변되는 전력을 공급하고 상기 수신 안테나에서 수신되는 마이크로웨이브의 주파수를 분석하여 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하는 주파수 분석기; 상기 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 전도도 또는 비저항으로 변환하는 전도도/비저항 변환기; 상기 전도도 또는 비저항을 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)으로 변환하는 도핑농도 변환기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 진공챔버 내에 플라즈마가 생성되는 경우 상기 수신 안테나는 상기 플라즈마를 투과하는 마이크로웨이브를 수신하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치
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4
제 1 항에 있어서, 상기 진공챔버 내에 플라즈마가 생성되는 경우 상기 수신 안테나는 상기 플라즈마로부터 반사되는 마이크로웨이브를 수신하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치
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5
도핑농도 또는 결정성 측정 장치를 구비하는 공정 시스템에 있어서, 주파수가 가변되는 마이크로웨이브를 진공챔버 내에 인가하는 송신 안테나; 상기 마이크로웨이브를 수신하는 수신 안테나; 상기 송신 안테나와 상기 수신 안테나를 내부에 매립하는 기판지지부; 상기 기판지지부 상부에 위치하는 기판; 상기 수신 안테나에서 수신하는 상기 마이크로웨이브로부터 상기 기판의 도핑영역의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하여 상기 도핑영역의 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)을 예측하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치를 구비하는 공정 시스템
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6
제 5 항에 있어서, 상기 도핑영역의 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)을 예측하기 위하여, 상기 송신 안테나에 주파수가 가변되는 전력을 공급하고 상기 수신 안테나에서 수신되는 마이크로웨이브의 주파수를 분석하여 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하는 주파수 분석기; 상기 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 전도도 또는 비저항으로 변환하는 전도도/비저항 변환기; 상기 전도도 또는 비저항을 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)으로 변환하는 도핑농도 변환기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치를 구비하는 공정 시스템
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7
도핑농도 또는 결정성 측정 장치를 구비하는 공정 시스템에 있어서, 비도핑영역에서 주파수가 가변되는 마이크로웨이브를 진공챔버 내에 인가하는 송신 안테나와 상기 마이크로웨이브를 수신하는 수신 안테나를 구비하는 제 1 센서; 도핑영역에서 주파수가 가변되는 마이크로웨이브를 진공챔버 내에 인가하는 송신 안테나와 상기 마이크로웨이브를 수신하는 수신 안테나를 구비하는 제 2 센서; 제 1 센서에서 수신하는 상기 마이크로웨이브로부터 측정되는 공진 주파수 또는 컷오프 주파수와 제 2 센서에서 수신하는 상기 마이크로웨이브로부터 측정되는 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 비교하여 상기 도핑영역의 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)을 예측하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치를 구비하는 공정 시스템
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8
제 7 항에 있어서, 상기 도핑영역의 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)을 예측하기 위하여, 제 1 센서 및 제 2 센서에 주파수가 가변되는 전력을 공급하고 수신되는 마이크로웨이브의 주파수를 분석하여 각각의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하는 주파수 분석기; 제 1 센서의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 기준으로 제 2 센서의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 전도도 또는 비저항으로 변환하는 전도도/비저항 변환기; 상기 전도도 또는 비저항을 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)으로 변환하는 도핑농도 변환기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치를 구비하는 공정 시스템
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9
제 8 항에 있어서, 스위칭 회로를 더 포함하고, 상기 주파수 분석기는 상기 스위칭 회로를 통하여 제 1 센서 및 제 2 센서에 주파수가 가변되는 전력을 공급하고 수신되는 마이크로웨이브의 주파수를 분석하여 각각의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 장치를 구비하는 공정 시스템
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10
기판의 결정성 및 불순물 함량 측정 장치에 있어서, 주파수가 가변되는 마이크로웨이브를 진공챔버 내에 인가하는 송신 안테나; 상기 마이크로웨이브를 수신하는 수신 안테나; 상기 수신 안테나에서 수신하는 상기 마이크로웨이브로부터 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하여 상기 기판의 불순물 함량(nx)을 예측하는 것을 특징으로 하는 기판의 결정성 및 불순물 함량 측정 장치
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11
도핑농도 또는 결정성 측정 방법에 있어서, 주파수가 가변되는 마이크로웨이브를 진공챔버 내에 인가하는 단계; 상기 마이크로웨이브를 수신하여 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하는 단계; 상기 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 전도도 또는 비저항으로 변환하는 단계; 상기 전도도 또는 비저항을 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)으로 변환하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 방법
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12
도핑농도 또는 결정성 측정 방법에 있어서, 비도핑영역에서 마이크로웨이브를 인가하고 수신하여 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하는 단계; 도핑영역에서 마이크로웨이브를 인가하고 수신하여 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 측정하는 단계; 비도핑영역에서의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 기준으로 도핑영역에서의 공진 주파수 또는 컷오프 주파수를 전도도 또는 비저항으로 변환하는 단계; 상기 전도도 또는 비저항을 도핑농도 또는 불순물 함량(nx)으로 변환하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑농도 또는 결정성 측정 방법
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제 11 항 또는 제 12 항의 도핑농도 또는 결정성 측정 방법을 실행시키기 위하여 저장매체에 기록되는 컴퓨터프로그램
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