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제1 기판 상에 에피텍셜층을 형성하는 단계;상기 에피텍셜층 상에 하부 DBR을 형성하는 단계;상기 하부 DBR 상에 캐비티층을 형성하는 단계;복수의 소자 영역에 대응하여 상기 캐비티층의 높이가 상이하도록 형성하는 단계;상기 복수의 소자 영역 내부에 각각 정의된 복수의 검출 영역에 대응하도록 상기 캐비티층, 하부 DBR 및 에피텍셜층을 식각하는 단계;상기 식각된 에피텍셜층에 대한 보호층을 증착하고, 상기 캐비티층 상에 상부 DBR을 증착하는 단계로서, 상기 보호층의 증착과 상기 상부 DBR의 증착은 실리콘 산화물 증착 공정을 통해 동시에 수행되는, 단계; 및상기 복수의 검출 영역에 대응하는 복수의 검출 소자를 구성하는 단계를 포함하고, 상기 하부 DBR, 상기 캐비티층 및 상기 상부 DBR은 패브리 페로 필터를 구성하는, 적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제1 기판 상에 에피텍셜층을 형성하는 단계;상기 에피텍셜층 상에 하부 DBR을 형성하는 단계;상기 하부 DBR 상에 캐비티층을 형성하는 단계;복수의 소자 영역에 대응하여 상기 캐비티층의 높이가 상이하도록 형성하는 단계;상기 복수의 소자 영역 내부에 각각 정의된 복수의 검출 영역에 대응하도록 상기 캐비티층, 하부 DBR 및 에피텍셜층을 식각하는 단계;상기 식각된 에피텍셜층에 대한 보호층을 형성하고, 상기 캐비티층 상에 상부 DBR을 증착하는 단계; 및상기 복수의 검출 영역에 대응하는 복수의 검출 소자를 구성하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 소자 영역에 대응하여 상기 캐비티층의 높이를 상이하도록 형성하는 단계는, 상기 캐비티층 상에 상기 복수의 소자 영역 각각에 대응하여 서로 다른 간격을 가진 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층이 복수의 소자 영역에 대응하여 서로 다른 높이를 가지도록 써멀 리플로우 공정을 수행하는 단계; 및상기 서로 다른 높이를 가지도록 형성된 포토레지스트층을 이용하여 상기 캐비티층의 높이가 복수의 소자 영역에 대응하여 상이하도록 형성하는 단계를 포함하는, 적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 포토레지스트층의 간격이 넓을 수록 상기 써멀 리플로우 공정을 통해 형성되는 포토레지스트층의 높이가 낮아지는적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 복수의 검출 영역에 대응하는 복수의 검출 소자를 구성하는 단계는,상기 복수의 검출 영역 내부에 상기 상부 DBR, 캐비티층 및 하부 DBR을 관통하는 컨택홀을 형성하는 단계;상기 컨택홀에 제1 컨택 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 기판에 제2 컨택 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1 컨택 전극과 연결되는 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계를 포함하고,상기 와이어 본딩 패드는 본딩 패드 및 상기 본딩 패드와 상기 제1 컨택 전극을 연결하는 와이어를 포함하는적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 복수의 검출 소자는 n X n 매트릭스 배열로 배치되고, 상기 n이 홀수일 때, 상기 복수의 검출 소자는 중앙 소자 및 상기 중앙 소자에 이웃하면서 상기 중앙 소자를 감싸는 복수의 주변 소자가 정의되며, 상기 중앙 소자의 본딩 패드는 이웃한 복수의 주변 소자 중 어느 하나에 형성되어 상기 와이어를 통해 상기 중앙 소자의 제1 컨택 전극과 연결되는적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 제1 기판에 제2 컨택 전극을 형성하는 단계는 상기 제1 기판의 하면에 제2 컨택 전극을 패터닝하는 것을 포함하는적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 복수의 검출 소자는 상기 캐비티층의 높이에 따라 검출 파장 영역이 서로 상이하도록 정의되는적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 하부 DBR, 상기 캐비티층 및 상기 에피텍셜층을 식각하는 단계는, 상기 하부 DBR 및 상기 캐비티층을 제1 에칭 기법을 통해 식각하여 상기 복수의 검출 영역을 정의하는 단계; 및상기 복수의 검출 영역에 대응하도록 상기 에피텍셜층을 제2 에칭 기법을 통해 식각하는 단계를 포함하는적외선 센싱 장치의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 에피텍셜층은 III/V 족 화합물 반도체 물질로 구성되는 적외선 센싱 장치의 제조 방법
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