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인클로즈드 게이트 FET에서, 기판;상기 기판 상에 형성된 소스 영역;상기 기판 상에 형성된 드레인 영역;상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하기 위한 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 인클로즈드 게이트 방식으로 형성된 제1 게이트 전극;상기 게이트 절연막 상에서 상기 제1 게이트 전극에 연결된 제2 게이트 전극; 및상기 게이트 절연막의 손상 여부를 진단하고, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 회복시키기 위해 열처리를 실시하는 BIST(Built-in self-test) 방식의 자가치유 회로부를 포함하는 인클로즈드 게이트 FET
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청구항 1에 있어서, 상기 자가치유 회로부는,평상시에 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 제1 게이트 전극에 전압을 인가하여 구동하고,상기 게이트 절연막에 손상이 발생한 것으로 진단하면, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 제1 게이트 전극에 전압 인가를 중단하여 구동을 중단시키고, 상기 제2 게이트 전극에 전압을 인가하여 열처리를 실시하는 방식으로 손상을 회복시키는 것을 특징으로 하는 인클로즈드 게이트 FET
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청구항 2에 있어서, 상기 자가치유 회로부는 상기 게이트 절연막의 문턱전압이 미리 정해진 제1 기준치를 초과하거나, 또는 게이트 누설 전류가 미리 정해진 제2 기준치를 초과하면, 상기 게이트 절연막에 손상이 발생한 것으로 진단하는 것을 특징으로 하는 인클로즈드 게이트 FET
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청구항 3에 있어서, 상기 자가치유 회로부는 상기 게이트 절연막의 손상 정도를 모니터링하여 피드백하는 방식으로, 상기 제2 게이트 전극에 인가하는 전압을 조정하는 것을 특징으로 하는 인클로즈드 게이트 FET
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기판, 소스 영역, 드레인 영역, 게이트 절연막, 제1 게이트 전극, 제2 게이트 전극 및 BIST(Built-in self-test) 방식으로 구현된 자가치유 회로부를 포함하는 인클로즈드 게이트 FET에서의 구동 방법에서, 상기 자가치유 회로부는 상기 게이트 절연막의 손상 여부를 진단하고, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 회복시키기 위해 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 인클로즈드 게이트 FET에서의 구동 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 자가치유 회로부는,평상시에 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 제1 게이트 전극에 전압을 인가하여 구동하고,상기 게이트 절연막에 손상이 발생한 것으로 진단하면, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 제1 게이트 전극에 전압 인가를 중단하여 구동을 중단시키고, 상기 제2 게이트 전극에 전압을 인가하여 열처리를 실시하는 방식으로 손상을 회복시키는 것을 특징으로 하는 인클로즈드 게이트 FET에서의 구동 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 자가치유 회로부는 상기 게이트 절연막의 문턱전압이 미리 정해진 제1 기준치를 초과하거나, 또는 게이트 누설 전류가 미리 정해진 제2 기준치를 초과하면, 상기 게이트 절연막에 손상이 발생한 것으로 진단하는 것을 특징으로 하는 인클로즈드 게이트 FET에서의 구동 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 자가치유 회로부는 상기 게이트 절연막의 손상 정도를 모니터링하여 피드백하는 방식으로, 상기 제2 게이트 전극에 인가하는 전압을 조정하는 것을 특징으로 하는 인클로즈드 게이트 FET에서의 구동 방법
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