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세라믹 기재;상기 세라믹 기재 상부에 형성되는 켜쌓기(epitaxy) 템플릿 층; 및상기 템플릿 층 상부에 형성되는 페로브스카이트(perovskite) 투명 전도체 층을 포함하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 1에 있어서,상기 페로브스카이트 투명 전도체 층은 도핑된 넓은 띠 반도체(La-도핑된 BaSnO3),강상관전도체(SrVO3,SrNbO3,SrMoO3)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 세라믹인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 2에 있어서,상기 페로브스카이트 투명 전도체 층은 2
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청구항 2에 있어서,상기 템플릿 층은 BaZrO3, MgO, Gd-doped CeO2, Y-stabilized ZrO2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 세라믹인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 4에 있어서,상기 템플릿 층의 두께는 100nm 이하인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 5에 있어서,상기 템플릿 층의 두께는 30nm 이하인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 2에 있어서,상기 세라믹 기재는 글래스, 사파이어, 스피넬, ZnS, Al2O3 및 MgAl2O4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 7에 있어서,상기 페로브스카이트 투명 전도체 층 상부에 형성되는 코팅층을 더 포함하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 8에 있어서,상기 코팅층은 300℃ 내열 특성을 가지며, 두께는 1
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청구항 9에 있어서,400℃ 내열 특성을 가지는 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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세라믹 기재;상기 세라믹 기재 상부에 형성되는 켜쌓기(epitaxy) 템플릿 층; 및상기 템플릿 층 상부에 형성되는 페로브스카이트(perovskite) 투명 전도체 층을 포함하고,상기 세라믹 기재는 글래스, 사파이어, 스피넬, ZnS, Al2O3 및 MgAl2O4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하며,상기 템플릿 층은 BaZrO3, MgO, Gd-doped CeO2, Y-stabilized ZrO2로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 세라믹인 것을 특징으로 하며,상기 페로브스카이트 투명 전도체 층은 도핑된 넓은 띠 반도체(La-도핑된 BaSnO3),강상관전도체(SrVO3,SrNbO3,SrMoO3)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 세라믹인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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청구항 11에 있어서,상기 페로브스카이트 투명 전도체 층은 2
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청구항 12에 있어서,상기 템플릿 층의 두께는 100nm 이하인 것을 특징으로 하는,페로브스카이트 전도체를 포함하는 투명 전도성 세라믹 적층체
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