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고반복 광 펄스열 발생 장치 및 이를 포함하는 위상 변조 장치

  • 기술번호 : KST2023004897
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 고반복 광 펄스열 반복 장치는, 일 외부로부터 광이 주입될 수 있고, 주입된 광을 증폭하여 양방향으로 증폭된 광을 출력할 수 있는 반도체 광증폭기, 상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 광의 광경로상에 배치되고, 상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 광이 인가될 수 있는 포화흡수체, 및 상기 반도체 광증폭기와 상기 포화흡수체를 연결하고, 상기 반도체 광증폭기와 상기 포화흡수체 사이에서 광을 이동시킬 수 있는 광섬유를 포함하고, 상기 포화흡수체는 상기 반도체 광증폭기로부터 인가된 광을 공진시킴으로써 고반복 광 펄스열을 발생시킬 수 있다.
Int. CL H01S 3/10 (2023.01.01) H01S 3/067 (2006.01.01) H01S 3/108 (2023.01.01)
CPC H01S 3/1001(2013.01) H01S 3/06754(2013.01) H01S 3/108(2013.01) H01S 3/10053(2013.01)
출원번호/일자 1020220158296 (2022.11.23)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-2536662-0000 (2023.05.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20230526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.11.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조민식 대전광역시 유성구
2 구준회 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
 2022.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-1254036-54
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-1252851-02
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2023.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0008405-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2023.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0045237-35
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2023.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2023-0273065-79
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2023.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2023-0273064-23
8 등록결정서
Decision to grant		 2023.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0457538-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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외부로부터 광이 주입될 수 있고, 주입된 광을 증폭하여 양방향으로 증폭된 광을 출력할 수 있는 반도체 광증폭기;상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 광의 광경로상에 배치되고, 상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 광이 인가될 수 있는 포화흡수체;상기 반도체 광증폭기와 상기 포화흡수체를 연결하고, 상기 반도체 광증폭기와 상기 포화흡수체 사이에서 광을 이동시킬 수 있는 광섬유;상기 반도체 광증폭기의 일 단부와 상기 포화흡수체의 일 단부를 연결하는 상기 광섬유상에 배치되고, 상기 광섬유를 통과하는 상기 광의 출력을 두개로 분할하는 광 분배기; 및상기 반도체 광증폭기의 타 단부와 상기 포화흡수체의 타 단부를 연결하는 상기 광섬유상에 배치되고, 상기 반도체 광증폭기와 상기 포화흡수체를 순환하는 광의 방향을 제한할 수 있는 광 고립기;를 포함하고,상기 포화흡수체는 상기 반도체 광증폭기로부터 인가된 광을 공진시킴으로써 고반복 광 펄스열을 발생시킬 수 있고는,상기 광섬유는 상기 반도체 광증폭기의 일 단부와 타 단부를 상기 포화흡수체의 일 단부와 타 단부에 각각 연결시키고, 상기 반도체 광증폭기로부터 출력된 광은 상기 포화흡수체를 통과하여 일 방향으로 순환될 수 있고,상기 광 분배기에 의하여 분할된 상기 광은, 모드잠금 고반복 광 펄스열의 형태로 출력되는 제1 광과, 상기 반도체 광증폭기를 향하여 진행되는 제2 광을 포함하고,상기 제1 광(p1)은 제1 펄스 반복률을 가지는 모드잠금 고반복 광 펄스열(r1)이거나, 제1 펄스 반복률보다 낮은 수치의 제2 펄스 반복률을 가지는 모드잠금 고반복 광 펄스열(r2)일 수 있고,상기 반도체 광증폭기에 인가되는 전류의 세기를 제어함과 동시에 상기 광섬유의 길이를 변화시킴으로써 상기 제1광(p1)의 반복률이 제어될 수 있는,고반복 광 펄스열 발생 장치
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제1항에 기재된 고반복 광 펄스열 발생 장치;고반복 광 펄스열을 전기 신호로 변환할 수 있는 광 검출기; 및상기 광 검출기로부터 상기 전기 신호가 입력될 수 있고, 입력된 상기 전기 신호에 따라 출력되는 신호의 위상을 변화시킬 수 있는 위상 변조기;를 포함하는,위상 변조 장치
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제8항에 있어서,상기 광 검출기와 상기 위상 변조기 사이에 배치되고, 상기 광 검출기로부터 출력되는 상기 전기 신호를 증폭시킬 수 있는 RF 증폭기;를 더 포함하는,위상 변조 장치
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제9 항에 있어서,RF 신호 발생기를 이용하지 않고, 광 신호에 의한 RF 신호로 구동되는 것을 특징으로 하는 위상 변조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.