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냉매의 유량 조절이 가능한 유량 조절형 냉각장치에 있어,오리피스(orifice) 분사 노즐 및 니들을 포함하는 노즐부; 및 상기 니들과 연결된 벨로우즈의 수축 또는 팽창에 의해 오리피스 분사 노즐 및 니들의 이격틈 간격을 제어하여 냉매의 유량을 조절하는 유량 조절부;를 포함하되, 상기 오리피스 분사 노즐의 내측 표면, 니들의 표면 및 벨로우즈의 표면 각각은 복수개의 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부 상에 독립적으로 서로 상이한 제1소수성 유기물 및 제2소수성 유기물을 포함하는 초소수성 유기 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 극저온 냉각장치
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제1항에 있어서,상기 초소수성 유기 코팅층은 제1소수성 유기물과 제2소수성 유기물이 돌출부에 교대로 수직 배열된 라멜라 구조를 포함하는 극저온 냉각장치
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제1항에 있어서,상기 돌출부는 다공성 금속산화물을 포함하는 극저온 냉각장치
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제1항에 있어서,상기 돌출부는 복수의 금속산화물 섬유가 서로 결착되어 형성된 열린 기공을 포함하는 극저온 냉각장치
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제1항에 있어서, 상기 제1소수성 유기물 및 제2소수성 유기물의 소수화도는 서로 상이한 것인, 극저온 냉각장치
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제1항에 있어서,상기 제1소수성 유기물은 불화탄소계 유기화합물인 극저온 냉각장치
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제6항에 있어서,상기 불화탄소계 유기화합물은 트리클로로(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥틸)실란, 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 트리클로로(1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실)실란, 트리플루오로프로필 트리메톡시실란, 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로옥틸 트리에톡시실란, 트리플루오로프로필 트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸 트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸 트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실 트리메톡시실란 및 헵타데카플루오로데실 트리에톡시실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 극저온 냉각장치
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제1항에 있어서,상기 제2소수성 유기물은 실리콘계 유기화합물인 극저온 냉각장치
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제8항에 있어서,상기 실리콘계 유기화합물은 티올기를 포함하는 변성 실리콘 오일인 극저온 냉각장치
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 극저온 냉각장치의 표면처리 방법에 있어,a) 오리피스 분사 노즐의 내측 표면, 니들의 표면 및 벨로우즈의 표면에 각각 돌출부를 형성하는 단계; 및b) 독립적으로 서로 상이한 제1소수성 유기물 및 제2소수성 유기물을 포함하는 각각의 제1코팅액 및 제2코팅액을 이용하여 상기 각각의 돌출부 상에 초소수성 유기 코팅층; 을 형성하는 단계; 를 포함하는 극저온 냉각장치의 표면처리 방법
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제10항에 있어서,상기 a) 단계의 돌출부는a-1) 고분자를 전기방사하여 매크로 기공성 섬유상 구조의 제1구조체를 형성하는 단계;a-2) 상기 제1구조체를 금속 전구체 화합물 용액에 침지하여 제1구조체 표면에 금속 전구체 화합물을 코팅하는 단계; 및a-3) 상기 금속 전구체 화합물이 코팅된 제1구조체를 산소분위기에서 하소하여 금속 산화물을 형성하고 고분자를 제거하는 단계;를 포함하는 공정에 의해 형성되는 극저온 냉각장치의 표면처리 방법
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제10항에 있어서,상기 b) 단계의 초소수성 유기 코팅층은b-1) 상기 제1코팅액을 상기 각각의 돌출부 상에 도포하여 패턴화된 제1블록을 형성하는 단계; 및b-2) 상기 제1블록이 형성된 각각의 돌출부 상에 제2코팅액에 도포하되, 상기 제1블록이 형성되지 않은 영역에 제2블록을 형성하는 단계; 를 포함하는 공정에 의해 형성되는 극저온 냉각장치의 표면처리 방법
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제12항에 있어서,상기 제1블록 및 제2블록은 패턴 마스크를 이용하여 형성되는 극저온 냉각장치의 표면처리 방법
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