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단촬상 타원분광법을 이용한 반도체 검사 장치

  • 기술번호 : KST2023004984
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 타원분광법을 이용해 반도체의 하부 불량을 계측하기 위한 반도체 검사장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 한 번의 촬영을 통해 반도체 샘플의 다양한 편광 정보를 얻을 수 있어 단시간에 우수한 정밀도의 반도체 하부 불량 계측이 가능한 단촬상 타원분광법을 이용한 반도체 검사장치에 관한 것이다.
Int. CL G01N 21/88 (2006.01.01) G01N 21/95 (2006.01.01) G01N 21/21 (2006.01.01) H01L 21/66 (2006.01.01)
CPC G01N 21/8806(2013.01) G01N 21/9501(2013.01) G01N 21/211(2013.01) H01L 22/12(2013.01) G01N 2021/213(2013.01) G01N 2021/8848(2013.01)
출원번호/일자 1020220050290 (2022.04.22)
출원인 한밭대학교 산학협력단, (주)뮤텍코리아
등록번호/일자 10-2515593-0000 (2023.03.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20230330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
2 (주)뮤텍코리아 대한민국 서울특별시 금천구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노진성 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
2 (주)뮤텍코리아 서울특별시 금천구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2022-0437151-65
2 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
 2022.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2022-0510986-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.05.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2022.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0128435-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0538322-14
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2022.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-0982967-32
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2022-1102807-74
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-1102775-01
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2022.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0999615-10
10 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2022-5305861-32
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2023.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2023-0152321-14
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2023.02.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2023-0152304-37
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2023.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0224099-29
14 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2023.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2023-0349601-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 샘플(600)에 입사광(L10)을 조사하는 조사부(700); 및상기 반도체 샘플(600)에서 반사, 굴절, 투과 및 산란되는 반사광(L20)을 수광하는 수광부(800)를 포함하고, 상기 수광부(800)는, 상기 반사광(L20)을 다양한 파장의 색상별로 굴절 및 분산시키기 위한 그리팅(812)과, 다양한 파장으로 분산된 빛의 서로 다른 각도를 갖는 편광 정보를 획득하기 위한 수광부(813)를 포함하되, 상기 수광부(813)는, 상기 분산된 빛을 서로 다른 각도를 갖는 편광으로 필터링 하기 위한 마이크로 편광 어레이 필터(910, 920)를 포함하여 한 번의 촬영을 통해 서로 다른 각도를 갖는 복수의 편광 정보를 획득하고,상기 마이크로 편광 어레이 필터(920)는,다수의 행을 이루는 픽셀(960)이 파장의 세기에 따라 배치되고, 각각의 픽셀에는 일정 각도를 갖는 편광을 투과시키기 위한 편광 필터링 마스크가 형성되되,n을 복수로 정의할 때, 특정 파장대에서 서로 다른 n개의 각도를 갖는 복수의 편광 정보의 획득이 가능하도록 형성되되, 파장의 세기에 따라서는 특정 각도를 갖는 편광 필터링 마스크가 형성된 픽셀이 단일로 형성되어, 상기 n개의 픽셀로만 이루어진 것을 특징으로 하는, 단촬상 타원분광법을 이용한 반도체 검사 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 수광부(813)는, 마이크로 편광 어레이 카메라인 것을 특징으로 하는, 단촬상 타원분광법을 이용한 반도체 검사 장치
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 각도는 적어도 0도, 45도, 90도 및 135도를 포함하는 것을 특징으로 하는, 단촬상 타원분광법을 이용한 반도체 검사 장치
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 (대전세종충남지역혁신플랫폼)충남대학교 지자체-대학 협력기반지역혁신사업 지능형 모빌리티 센서 및 배터리 시스템 기술고도화
2 다부처 (주)엠아이디 민군기술협력(R＆D)(산업부,방사청) 우주용 대용량 메모리 적층 패키징 기술 및 모듈 개발