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기판 상에 하기 화학식 1(W(3-hexyne)3(CO))로 표현되는 텅스텐(W) 전구체를 공급하는 전구체 공급 단계; 및상기 기판 상에 하기 화학식 2(tert-butyl hydrazine, TBH)로 표현되는 반응가스를 공급하는 반응가스 공급 단계;를 포함하며,상기 전구체 공급 단계와 상기 반응가스 공급 단계를 교번적으로 수행하여 텅스텐(W) 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법:[화학식 1][화학식 2]
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제1항에 있어서,상기 텅스텐 박막은 275 ~ 300 ℃ 온도 범위에서 형성하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 공급 단계와 상기 반응가스 공급 단계 이후에 각각 상기 기판 상에 퍼지가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 공급 단계와 상기 반응가스 공급 단계를 적어도 1회 교번적으로 수행하여 형성된 박막을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 단계;를 더 포함하여 상기 텅스텐 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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제4항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계는,상기 기판 상에 수소(H2) 플라즈마를 펄스로 공급하여 수행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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제4항에 있어서,상기 플라즈마 처리 단계 이후에, 상기 기판 상에 퍼지가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 텅스텐 박막을 열처리하는 후속 열처리 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 후속 열처리 단계는 600 ~ 800 ℃ 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 후속 열처리 단계는 수소 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 박막 형성 방법
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