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몸체;상기 몸체의 표면에 형성된 나노 크기의 돌기부; 및 상기 몸체 및 돌기부의 표면에 전도성 탄소가 코팅된 코팅부를 포함하는 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 전극에 5 L/min의 유량으로 공기를 공급하면서, 7 kV의 DC 음전압을 인가하여 음이온을 발생시키고, 발생된 음이온을 포함하는 공기를 22 L의 챔버 내로 2000 bacteria/cm3의 세균과 함께 주입하여 상기 세균을 음이온에 노출시킨 후, 측정된 세균의 잔존율이 25% 이하인 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 전극에 5 L/min의 유량으로 공기를 공급하면서, 7 kV의 DC 음전압을 인가하여 음이온을 발생시키고, 발생된 음이온을 포함하는 공기를 22 L의 챔버 내로 2000 bacteria/cm3의 세균과 함께 주입하여 상기 세균을 음이온에 노출시킨 후, 측정된 세균의 잔존수가 12 CFU 이하인 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 전극에 5 L/min의 유량으로 공기를 공급하면서, 7 kV의 DC 음전압을 인가하여 측정되는 음이온 발생 농도가 8 Х 105 ions/cm3 이상인 전극
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제 4 항에 있어서, 상기 전극에 5 L/min의 유량으로 공기를 공급하면서, 7 kV의 DC 음전압을 인가하여 측정되는 음이온 발생 농도는 8 Х 105 ions/cm3 내지 1 Х 108 ions/cm3인 전극
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제 4 항에 있어서, 음이온 발생 시 잔류오존농도가 50 ppb 미만인 전극
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제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 음이온 발생 시 적용되는 전기장은 500 V/m 내지 500000 V/m인 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 몸체는 핀(pin) 형태인 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 몸체는 철, 텅스텐, 은, 구리, 금, 니켈, 코발트, 아연, 몰리브덴 또는 이들의 합금으로 이루어진 전이금속을 포함하는 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 돌기부는 곡률 반경이 1 nm 내지 10 ㎛인 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 돌기부는 철, 텅스텐, 은, 구리, 금, 니켈, 코발트, 아연, 몰리브덴 또는 이들의 합금으로 이루어진 전이금속을 포함하는 전극
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제 11 항에 있어서, 상기 전도성 탄소는 상기 전이금속 100 중량부 대비 10 중량부 내지 40 중량부로 포함되는 전극
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제 1 항에 따른 전극의 제조방법에 관한 것으로,몸체의 표면에 나노 크기의 돌기부를 형성하는 형성 단계; 및상기 몸체 및 돌기부의 표면에 전도성 탄소를 코팅하여 코팅부를 형성하는 코팅 단계를 포함하는 전극의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 형성 단계는 식각 또는 부착을 통해 수행되는 전극의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 식각은 습식 식각, 광학적 식각 및 물리적 식각 중 선택된 하나 이상으로 수행되는 전극의 제조방법
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제 15 항에 있어서, 상기 습식 식각은 몸체를 식각 용액에 함침시킨 후, 초음파를 인가하여 수행되는 전극의 제조방법
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제 16 항에 있어서, 상기 초음파 인가 시간은 10 초 내지 1 시간인 전극이 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 부착은 상기 몸체의 표면에 촉매 입자를 부착하여 수행되는 전극의 제조방법
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제 18 항에 있어서, 상기 촉매 입자는 철, 텅스텐, 은, 구리, 금, 니켈, 코발트, 아연, 몰리브덴 또는 이들의 합금으로 이루어진 전이금속인 전극의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 코팅 단계는 화학 기상 증착 방법, 스퍼터링 방법, 원자층 증착 방법, 스프레이 코팅 방법 및 스핀 코팅 방법 중 선택된 하나의 방법으로 수행되는 전극의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 코팅 단계는 화학 기상 증착 방법으로 수행되는 전극의 제조방법
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제 1 항에 따른 전극을 포함하는 정전기 방전 시스템
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