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CMOS 인버터 회로

  • 기술번호 : KST2023005077
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인버터 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 PMOS 트랜지스터의 특성이 오른쪽으로 이동되어도 정상적으로 동작이 가능한 CMOS 인버터 회로에 관한 것이다.
Int. CL H03K 19/0948 (2006.01.01) H03K 19/00 (2006.01.01)
CPC H03K 19/0948(2013.01) H03K 19/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020210187440 (2021.12.24)
출원인 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0098425 (2023.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배병성 경기도 수원시 팔달구
2 윤의중 서울특별시 송파구
3 여제훈 경기도 화성
4 강서진 경기도 시흥시 정왕신길로 **
5 이혁수 인천광역시 중구
6 우재근 충청남도 천안시 동남구
7 정준식 충청남도 천안시 서북구
8 박소정 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 영진빌딩)(두리암특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2021-1501029-27
2 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2022.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-1088205-79
3 [출원서 등 보완]보정서
2022.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-1088133-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2023.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0453987-63
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2023.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2023-0633926-19
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2023.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2023-0782217-17
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번호 청구항
1 1
CMOS 인버터 회로로서,게이트 단자를 통해 동일한 입력신호를 인가받고, 소오스 단자에 전원전압(VDD)이 직렬로 연결된 제1 PMOS 트랜지스터 및 제2 PMOS 트랜지스터 ; 및상기 제2 PMOS 트랜지스터와 직렬로 연결되며 게이트 단자를 통해 상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 제2 PMOS 트랜지스터와 동일한 입력신호를 인가받으며, 소오스 단자에 접지(GND)가 연결된 제1 NMOS 트랜지스터을 포함하는 CMOS 인버터 회로
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 PMOS 트랜지스터 및 제2 PMOS 트랜지스터의 채널폭이 서로 다른 것을 특징으로 하는 CMOS 인버터 회로
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인과 제2 PMOS 트랜지스터의 소오스가 직렬로 연결된 노드 P점에 연결된 제2 NMOS 트랜지스터를 더 포함하는 CMOS 인버터 회로
4 4
청구항 3에 있어서,상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인은 상기 노드 P점에 연결되고, 소오스는 접지(GND)에 연결되는 것을 특징으로 하는 CMOS 인버터 회로
5 5
청구항 3에 있어서,상기 제2 NMOS 트랜지스터의 게이트 단자에 입력되는 입력전압은 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 입력전압과 동일한 것을 특징으로 하는 CMOS 인버터 회로
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2023120950 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2023120950 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 호서대학교 이공학학술연구기반구축(R&D) 저온 공정으로 제작된 p-채널/n-채널 산화물반도체 TFTs를 이용한 CMOS 유연 논리소자 개발에 관한 연구