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전고체 전지의 제조방법으로서,양극, 음극 및 고체전해질을 준비하는 단계;상기 음극 및 고체전해질의 계면층을 형성하는 단계; 및상기 양극, 음극 및 고체전해질을 조립하는 단계;를 포함하고,상기 음극은 리튬 메탈이고,상기 계면층은 실리콘-함유 나노입자를 포함하고,상기 실리콘-함유 나노입자는 상기 계면층에 균일하게 분산된 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 음극 및 고체전해질의 계면층을 형성하는 단계는,상기 실리콘-함유 나노입자를 포함하는 용액을 형성하는 단계;상기 실리콘-함유 나노입자의 표면에 수소 또는 수산화기가 형성되도록 표면개질하는 단계; 및상기 표면개질된 실리콘-함유 나노입자 용액을 고체전해질 표면에 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 표면개질된 실리콘-함유 나노입자 용액을 고체전해질 표면에 코팅하는 단계는, 딥 코팅, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 음극 및 고체전해질의 계면층을 형성하는 단계는,상기 실리콘-함유 나노입자를 포함하는 용액을 형성하는 단계;상기 실리콘-함유 나노입자의 표면에 수소 또는 수산화기가 형성되도록 표면개질하는 단계;상기 표면개질된 실리콘-함유 나노입자 용액을 임시기재 상에 코팅하고 건조하여 계면층을 형성하는 단계; 및상기 형성된 계면층을 고체전해질의 표면 또는 음극의 표면에 전사(transfer)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 형성된 계면층을 음극의 표면에 전사(transfer)하고, 압착하여, 리튬 실리사이드를 형성하는 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 임시기재는 스테인리스 스틸, 구리, 알루미늄, 및 니켈로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종의 금속 필름인 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 형성된 계면층을 고체전해질의 표면 또는 음극의 표면에 전사(transfer)하는 단계에서,상기 계면층과 임시기재 간의 접착력보다, 상기 계면층과 고체전해질의 표면 또는 음극의 표면 간의 접착력이 더 큰 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 형성된 계면층을 고체전해질의 표면 또는 음극의 표면에 전사(transfer)하는 단계는, 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘-함유 나노입자는 실리콘, 리튬 실리사이드, 리튬 실리케이트, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘-함유 나노입자는 입도가 1000nm 이하인 것을 특징으로 하는, 전고체 전지의 제조방법
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양극;리튬 메탈 음극; 및 고체전해질;을 포함하고,상기 리튬 메탈 음극 및 고체전해질의 계면에 계면층이 형성되고,상기 계면층은 실리콘-함유 나노입자를 포함하고,상기 실리콘-함유 나노입자는 상기 계면층에 균일하게 분산된 것을 특징으로 하는, 전고체 전지
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제11항에 있어서,상기 고체전해질은 하기 화학식 1에 따른 가넷형(garnet-type) 고체 전해질인 것을 특징으로 하는, 전고체전지
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제11항에 있어서,상기 계면층은 상기 고체전해질 표면에 습식 코팅되어 형성되거나, 또는 상기 고체전해질 표면 또는 리튬 메탈 음극 표면에 건식 코팅되어 형성된 것을 특징으로 하는, 전고체전지
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제11항에 있어서,상기 실리콘-함유 나노입자는 실리콘, 리튬 실리사이드, 리튬 실리케이트, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는, 전고체 전지
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제11항에 있어서,상기 실리콘-함유 나노입자는 입도가 1000nm 이하인 것을 특징으로 하는, 전고체 전지
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