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결정질 실리콘;LixSiyOz; 및탄소재를 포함하는 복합 음극 재료에 관한 것으로서,상기 복합 음극 재료는 리튬 소스 및 실리콘을 혼합, 밀링, 열처리 및 탄소재 코팅을 통해 형성된 것이고,상기 복합 음극 재료는 상기 결정질 실리콘 입자 내부에 LixSiyOz가 혼입된 구조이고,상기 복합 음극 재료의 표면의 적어도 일부에 탄소재가 코팅된 것을 특징으로 하는, 복합 음극 재료
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제1항에 있어서,상기 복합 음극 재료를 Cu-Kα선을 이용한 X선 회절에 의해 측정했을 때에,결정질 실리콘의 XRD 피크는 2θ가 25°내지 30°, 45°내지 50°, 55°내지 60°, 65°내지 70°, 75° 내지 80° 및 85°내지 90°인 범위에서 나타나며 이때 결정질 실리콘의 주 피크는 2θ가 27
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제2항에 있어서,상기 결정질 실리콘에 기인하는 주 피크의 강도를 Ia, 상기 Li2SiO3에 기인하는 주 피크의 강도를 Ib, 및 상기 Li4SiO4에 기인하는 피크의 강도를 Ic라고 할 때에, 상기 Ia 에 대한 상기 Ib의 강도 비가 0
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제3항에 있어서,상기 Ia에 대한 상기 Ic의 강도 비가 0
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제1항에 있어서,상기 복합 음극 재료를 라만 분광법에 의해 측정했을 때에, 450 내지 550 cm-1에서 결정질 실리콘을 의미하는 제1 피크가 존재하고, 500 내지 550 cm-1에서 LixSiyOz를 의미하는 제2 피크가 존재하는 것을 특징으로 하는, 복합 음극 재료
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제5항에 있어서,상기 제1 피크의 면적 최대치 SA에 대한, 제2 피크의 면적 최대치 SB의 면적 비가 0
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제2항에 있어서,상기 Li2SiO3에 기인하는 주 피크의 반치폭이 0
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제1항에 있어서,상기 제1 표면층 상에 형성된 코팅된 탄소층의 평균 두께는 5 nm 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는, 복합 음극 재료
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제1항에 있어서, 상기 복합 음극 재료 입자는 평균 입경이 0
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제1항에 있어서,상기 복합 음극 재료의 입자 1몰당, 비정질 SiOx을 0
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제1항에 있어서,상기 복합 음극 재료는 상기 결정질 실리콘을 포함하는 음극 재료에 리튬 소스를 도핑하는 것과 동시에 탄소 소스를 공급하여 코팅된 탄소층을 코팅하는 단일 공정으로 제조된 것을 특징으로 하는, 복합 음극 재료
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제1항에 따른 복합 음극 재료를 포함하는 음극을 포함하는 에너지 저장 소자
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