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전하 공유 방식을 이용한 삼진 입력 데이터와 이진 가중치 간 인-메모리 MAC 연산을 지원하는 메모리 장치 및 그 동작 방법

  • 기술번호 : KST2023005332
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시의 일 양상으로, 제1 워드 라인, 한 쌍의 제2 워드 라인 및 비트 라인에 연결되며, 상기 한 쌍의 제2 워드 라인으로부터 입력되는 삼진 입력 및 상기 제1 워드 라인과 상기 비트 라인에 기초하여 기 설정된 이진 가중치에 따라 MAC(multiply-accumulate) 연산을 수행하는 메모리 셀 어레이; 상기 메모리 셀 어레이를 제어하는 주변 회로; 및 상기 MAC 연산에 따른 전압 값을 디지털 값으로 변환하는 ADC(Analog-to-Digital Converter) 회로를 포함하는, 메모리 장치이다.
Int. CL G11C 11/413 (2006.01.01) G11C 11/412 (2006.01.01) G11C 7/10 (2021.01.01) G11C 8/08 (2006.01.01)
CPC G11C 11/413(2013.01) G11C 11/412(2013.01) G11C 7/1084(2013.01) G11C 8/08(2013.01)
출원번호/일자 1020220017302 (2022.02.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0120729 (2023.08.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.02.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종선 서울특별시 서초구
2 전성수 서울특별시 성북구
3 이경호 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주연케이알피 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길**, *층(역삼동, 엘에스빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2022-0149038-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
제1 워드 라인, 한 쌍의 제2 워드 라인 및 비트 라인에 연결되며, 상기 한 쌍의 제2 워드 라인으로부터 입력되는 삼진 입력 및 상기 제1 워드 라인과 상기 비트 라인에 기초하여 기 설정된 이진 가중치에 따라 MAC(multiply-accumulate) 연산을 수행하는 메모리 셀 어레이;상기 메모리 셀 어레이를 제어하는 주변 회로; 및상기 MAC 연산에 따른 전압 값을 디지털 값으로 변환하는 ADC(Analog-to-Digital Converter) 회로를 포함하는,메모리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 삼진 입력은 제1 전압, 제2 전압 및 상기 제1 전압의 중간 값인 중간 전압 중 하나에 대응되는,메모리 장치
3 3
제2항에 있어서,입력 신호가 입력되며, 출력 단이 상기 한 쌍의 제2 워드 라인과 연결되는 입력 드라이버를 더 포함하고,상기 입력 드라이버는,상기 한 쌍의 제2 워드 라인을 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압으로 프리차지(precharge)하고, 상기 한 쌍의 제2 워드 라인 간 전하 공유에 따라 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압이 모두 상기 중간 전압으로 변환된 경우 상기 입력 신호에 따라 상기 삼진 입력을 상기 한 쌍의 제2 워드 라인에 인가하는,메모리 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 입력 드라이버는,상기 입력 신호가 '1'의 삼진 값인 경우 상기 한 쌍의 제2 워드 라인을 각각 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압으로 구동하고,상기 입력 신호가 '0'의 삼진 값인 경우 상기 한 쌍의 제2 워드 라인을 상기 중간 전압으로 유지하고,상기 입력 신호가 '-1'의 삼진 값이 경우 상기 한 쌍의 제2 워드 라인을 각각 상기 제2 전압 및 상기 제1 전압으로 구동하고,상기 삼진 입력은 상기 한 쌍의 제2 워드 라인의 구동 전압에 대응되는,메모리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 이진 가중치는 상기 비트 라인으로부터 인가되는 전압에 따라 이진 값인 '1' 및 '-1' 중 하나로 설정되는,메모리 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는,제1 연산 제어 라인, 제2 연산 제어 라인 및 공통 비트 라인과 연결되는,메모리 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는 복수의 메모리 셀을 포함하고,상기 복수의 메모리 셀 각각은:상기 제1 워드 라인 및 상기 한 쌍의 제2 워드 라인과 연결된 SRAM(Static Random Access Memory);상기 한 쌍의 제2 워드 라인과 제1 노드 사이에 연결되고, 게이트 단이 상기 SRAM의 출력 단에 연결되는 한 쌍의 제1 트랜지스터;상기 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되고, 게이트 단이 상기 제1 연산 제어 라인에 연결되는 제2 트랜지스터; 및상기 제2 노드 및 상기 공통 비트 라인 사이에 연결되고, 게이트 단이 상기 제2 연산 제어 라인에 연결되는 제3 트랜지스터를 포함하는,메모리 장치
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제7항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는,상기 제1 연산 제어 라인으로부터 온(ON) 신호를 받은 경우, 상기 삼진 입력에 기초하여 상기 한 쌍의 제1 트랜지스터 중 하나가 온되는 것에 기초하여 상기 삼진 입력과 상기 이진 가중치를 곱한 값에 대응되는 전하를 상기 제2 노드에 충전하고,상기 제1 연산 제어 라인으로부터 오프(OFF) 신호 및 상기 제2 연산 제어 라인으로부터 온 신호를 받은 경우, 상기 제2 노드에 충전된 전하를 상기 공통 비트 라인에 공유하는 것에 기초하여 상기 MAC 연산을 수행하는,메모리 장치
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메모리 장치에 의해 수행되는 동작 방법으로서,한 쌍의 제2 워드 라인으로부터 입력되는 삼진 입력 및 제1 워드 라인과 비트 라인에 기초하여 기 설정된 이진 가중치에 따라 MAC(multiply-accumulate) 연산을 수행하는 단계; 및상기 MAC 연산에 따른 전압 값을 디지털 값으로 변환하는 단계를 포함하는,동작 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 삼진 입력은 제1 전압, 제2 전압 및 상기 제1 전압의 중간 값인 중간 전압 중 하나에 대응되고,상기 한 쌍의 제2 워드 라인을 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압으로 프리차지(precharge)하는 단계;상기 한 쌍의 제2 워드 라인 간 전하 공유에 따라 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압이 모두 상기 중간 전압으로 변환된 경우 입력 신호에 따라 상기 삼진 입력을 상기 한 쌍의 제2 워드 라인에 인가하는 단계를 더 포함하는,동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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