요약 | 본 발명은 탄탈륨이 도핑된 n형 하프-호이슬러 열전소재 및 이를 이용한 열전소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄탈륨(Ta)을 도핑원소로 하여 하프늄(Hafnium, Hf)과 안티모니(Antimony, Sb)가 포함되지 않은 n형 하프-호이슬러 열전소재 및 이를 이용한 열전소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 주석(Sn)을 포함하는 n형 열전소재에 탄탈륨(Ta)원소를 도핑(doping)하여 탄탈륨이 도핑된 n형 열전소재를 합성하되,상기 열전소재는 ZrxTiyTazNiSn (x + y + z = 1, 단, x, y, z ≠ 0)로 포함되는 것을 특징으로 하는, 탄탈륨이 도핑된 n형 하프-호이슬러 열전소재를 기술적 요지로 한다. 또한, 탄탈륨이 도핑된 n형 하프-호이슬러 열전소재를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열전소자를 기술적 요지로 한다. |
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Int. CL | H10N 10/85 (2023.01.01) C22C 16/00 (2006.01.01) |
CPC | H10N 10/854(2013.01) C22C 16/00(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020220016835 (2022.02.09) |
출원인 | 한국전기연구원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2023-0120360 (2023.08.17) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 국내출원/신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2022.02.17) |
심사청구항수 | 5 |