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실리콘 산화물로 형성되는 나노입자 5~15 wt%, 고분자 물질 10~20 wt% 및 유기용매 65~85 wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 방수 코팅제 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 산화물은 SiOF, TiOF, 및 ZnOF로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방수 코팅제 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 고분자 물질은 PDMS, H-PDMS, ecoflex, Dragon skin 및 Durasurf로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방수 코팅제 조성물
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청구항 1에 있어서,상기 유기용매는 헥세인, 톨루엔, THF, CM, DCM 및 자일렌으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방수 코팅제 조성물
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5
청구항 1의 방수 코팅제 조성물을 이용한 방수 코팅 방법에 있어서,전기의 인가가 가능하고 코팅의 대상이 되는 코팅대상을 마련하는 제1단계;실리콘 산화물로 형성되는 나노입자 5~15 wt%, 고분자 물질 10~20 wt% 및 유기용매 65~85 wt%를 포함하는 방수 코팅제 조성물을 마련하는 제2단계;상기 방수 코팅제 조성물을 상기 코팅대상의 표면에 도포하여 방수 코팅층을 형성하는 제3단계; 및상기 방수 코팅층을 경화시키는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방수 코팅 방법
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청구항 5에 있어서,상기 제3단계에서, 상기 방수 코팅제 조성물의 점성 또는 도포량을 제어하여 상기 방수 코팅층의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 방수 코팅 방법
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7
청구항 6에 있어서,상기 방수 코팅층의 두께는, 0
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8
청구항 6에 있어서,상기 방수 코팅제 조성물의 점성은 1 내지 5,000 cPs(푸아즈)인 것을 특징으로 하는 방수 코팅 방법
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청구항 5에 있어서,상기 제3단계에서, 상기 방수 코팅제 조성물을 상기 코팅대상의 표면에 스프레이 코팅(spray coating), 드랍코팅(drop-coating) 또는 딥코팅(deep-coating)을 수행하여 상기 방수 코팅층이 형성되는 것을 특징으로 하는 방수 코팅 방법
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10
청구항 5에 있어서,상기 제4단계에서, 상기 방수 코팅층의 경화 온도는, 20 내지 60 ℃인 것을 특징으로 하는 방수 코팅 방법
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11
청구항 10에 있어서,상기 제4단계에서, 상기 방수 코팅층의 경화 시간은, 5 내지 10 분(min)인 것을 특징으로 하는 방수 코팅 방법
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12
청구항 5 내지 청구항 11 중 선택되는 어느 하나의 항에 의한 방법으로 형성된 상기 방수 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 PCB기판
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13
청구항 12에 있어서,상기 방수 코팅층이 전면, 후면 또는 전면과 후면 모두에 형성되는 것을 특징으로 하는 PCB기판
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