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원자층 증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2023005418
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 원자층 증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성 방법은 기판이 구비되는 챔버 내부로 티타늄 전구체를 공급하여 상기 기판에 상기 티타늄 전구체를 화학 흡착하는 단계;와, 상기 챔버 내부에 공급된 상기 전구체 중 물리 흡착 상태인 상기 전구체와 흡착 부산물을 제거하는 단계;와, 상기 챔버 내부에 반응물질을 소정시간 동안 공급하는 단계; 및 상기 챔버 내부에 공급된 상기 반응물질 중 상기 전구체와 반응하지 않은 반응물질과 반응 부산물을 제거하는 단계;를 순차적으로 기설정된 횟수만큼 반복하여 티타늄 산화막을 제조하는 것이고, XPS 분석시 TiON에 대응되는 결합에너지 위치인 462.4eV, 456.7eV 인근에서 소정 세기를 갖는 피크가 나타나는 상기 티타늄 산화막을 제조하는 것을 기술적 요지로 한다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) B01J 21/06 (2006.01.01)
CPC C23C 16/405(2013.01) C23C 16/45555(2013.01) C23C 16/45553(2013.01) B01J 21/063(2013.01)
출원번호/일자 1020220018409 (2022.02.11)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0121472 (2023.08.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권세훈 부산광역시 금정구
2 김민지 부산광역시 영도구
3 백지후 부산광역시 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전용철 대한민국 부산광역시 동래구 충렬대로 ***-*(온천동) *층(마이스타**특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2022-0158013-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판이 구비되는 챔버 내부로 티타늄 전구체를 공급하여 상기 기판에 상기 티타늄 전구체를 화학 흡착하는 단계;와, 상기 챔버 내부에 공급된 상기 전구체 중 물리 흡착 상태인 상기 전구체와 흡착 부산물을 제거하는 단계;와, 상기 챔버 내부에 반응물질을 소정시간 동안 공급하는 단계; 및 상기 챔버 내부에 공급된 상기 반응물질 중 상기 전구체와 반응하지 않은 상기 반응물질과 반응 부산물을 제거하는 단계;를 순차적으로 기설정된 횟수만큼 반복하여 티타늄 산화막을 제조하는 것이고,XPS 분석시 TiON에 대응되는 결합에너지 위치인 462
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제 1항에 있어서,상기 티타늄 전구체를 화학 흡착하는 단계에서 상기 티타늄 전구체는 테트라키스(다이에틸아미도)티타늄, 테트라키스(에틸메틸아미도)티타늄 및 테트라키스(다이메틸아미도)티타늄 중에 선택되는 적어도 하나이고,상기 반응물질을 소정시간 동안 공급하는 단계에서 상기 반응물질은 물인 것인 원자층 증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 챔버 내부는 120 내지 200℃, 불활성기체 분위기이고,상기 티타늄 전구체를 화학 흡착하는 단계는 상기 기판에 상기 티타늄 전구체의 화학 흡착이 충분히 이루어지도록 하는 시간 동안 상기 티타늄 전구체를 상기 챔버 내부로 공급하는 것이며,상기 흡착 부산물을 제거하는 단계는 상기 챔버 내부에 공급된 상기 전구체 중 물리 흡착 상태인 상기 전구체와 상기 흡착 부산물이 충분히 제거되는 시간 동안 제거하는 단계이고,상기 반응물질을 소정시간 동안 공급하는 단계는 상기 챔버 내부의 티타늄 전구체와 상기 반응물질의 반응이 충분히 이루어지도록 하는 시간 동안상기 반응물질을 공급하는 단계이며,상기 반응 부산물을 제거하는 단계는 상기 챔버 내부에 공급된 상기 반응물질 중 상기 전구체와 반응하지 않은 상기 반응물질과 상기 반응 부산물이 충분히 제거될 수 있는 시간 동안 상기 반응물질과 상기 반응 부산물을 제거하는 단계인 것인 원자층 증착법을 이용한 티타늄 산화막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부(P71) 부산대학교 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 고내구성, 저비용, 고성능 PEMFC 구현을 위한, 유동층 원자층 증착방식 원자단위 제어 나노 촉매 기술 개발