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면 상에 복수의 막대가 있는 구조의 기판; 상기 기판 상에 있고, 도핑되어 있는 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층; 및상기 금속 산화물층 상에 있는 조촉매층;을 포함하되,상기 기판은 실리콘 기판이고,상기 금속 산화물은 산화아연이고,상기 금속 산화물층은 10 몰% 내지 15 몰%의 질소 불순물로 도핑되어 있으며, 상기 조촉매층은 NiOOH를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 기판은 상기 금속 산화물층 보다 전도대(conduction band)가 낮은 것을 특징으로 하는 다층 구조체
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제1 항에 있어서,상기 기판에 있는 막대의 단면 크기는 100 nm 내지 750 nm의 범위 내인 것을 특징으로 하는다층 구조체
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제1 항에 있어서,상기 기판에 있는 막대의 길이는 1 nm 내지 100 ㎛의 범위 내인 것을 특징으로 하는다층 구조체
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제1 항에 있어서, 상기 금속 산화물층은 상기 기판에 있는 막대 상에 있는 복수의 막대 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 다층 구조체
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제10 항에 있어서, 상기 금속 산화물층의 막대의 단면의 크기는 30 nm 내지 60 nm의 범위 내인 것을 특징으로 하는다층 구조체
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제11 항에 있어서,상기 금속 산화물층의 막대의 길이는 1 nm 내지 1 ㎛의 범위 내인 것을 특징으로 하는다층 구조체
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제1 항에 있어서,상기 조촉매층은 상기 기판 및 상기 금속 산화물층을 봉지(encapsulate)하거나, 또는 상기 금속 산화물층 상에서 나노입자 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는다층 구조체
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제1 항에 있어서,상기 다층 구조체는 광전기화학반응용이고, 상기 광전기화학반응은 광전기 물분해 반응, 광수집(light harvesting) 반응, 센싱 반응, 광 포집(light trapping) 반응, 에너지 보존 반응 및 수집 반응 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는다층 구조체
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기판을 에칭하는 제1 단계; 도핑되어 있는 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 상기 기판 상에 형성하는 제2 단계; 및상기 금속 산화물층 상에 조촉매층을 형성하는 제3 단계;를 포함하되,상기 기판은 실리콘 기판이고,상기 금속 산화물은 산화아연이고,상기 금속 산화물층은 10 몰% 내지 15 몰%의 질소 불순물로 도핑되어 있으며, 상기 조촉매층은 NiOOH를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 구조체의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 제2 단계에서, 에칭한 기판 상에 금속 산화물을 포함하는 완충층을 형성하는 과정, 상기 완충층의 표면에서 상기 금속 산화물을 성장시키는 과정, 및 상기 완충층 및 상기 성장된 금속 산화물 중 적어도 일부를 도핑하는 과정을 포함하는 방식으로 도핑되어 있는 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물층을 상기 기판 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 구조체의 제조 방법
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제17 항에 있어서, 상기 완충층의 표면에서 금속 산화물을 성장시키는 과정에서, 상기 완충층의 표면에서 상기 금속 산화물을 유기금속 화학기상증착(MOCVD)법으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 다층 구조체의 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 완충층 및 상기 성장된 금속 산화물 중 적어도 일부를 도핑하는 과정에서, 질소 전구체의 존재 하에 상기 완충층 및 상기 성장된 금속 산화물을 포함하는 구조체를 어닐링하는 것을 특징으로 하는다층 구조체의 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 제3 단계에서, 상기 금속 산화물층 상에 NiOOH를 전착(electrodeposition)하여 상기 금속 산화물층 상에 조촉매층을 형성하는 것을 특징으로 하는다층 구조체의 제조 방법
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