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링 구조물에 있어서,상기 링 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속에서 나노 사이즈의 갭만큼 이격된 위치에 2차 금속이 배치되며,상기 나노 사이즈의 갭만큼의 폭을 가지는 링이 형성되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 1차 금속에 대해 적용되는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 링 구조물
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제1항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 링 구조물을 제작할 때 사용되는 비드의 하단에 배치된 1차 금속의 폭이 비드의 폭보다 더 작아지도록 1차 금속을 식각하는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 링 구조물
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제1항에 있어서,언더컷을 통해 1차 금속이 추가로 식각되는 정도가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 링 구조물
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제1항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 링 구조물
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링-디스크 구조물에 있어서,상기 링-디스크 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속의 둘러싸는 링 형태의 2차 금속이 배치되며,상기 1차 금속과 2차 금속은 나노 사이즈의 갭만큼 이격되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 1차 금속에 대해 적용되는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 링-디스크 구조물
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제5항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 링 구조물을 제작할 때 사용되는 비드의 하단에 배치된 1차 금속의 폭이 비드의 폭보다 더 작아지도록 1차 금속을 식각하는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 링-디스크 구조물
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7
제5항에 있어서,상기 2차 금속으로 형성된 링들 사이의 갭은, 링-디스크 구조물의 제작 과정에서 1차 금속의 상단에 배치된 비드의 리플로우의 진행 시간에 따라 달라지는 링-디스크 구조물
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제5항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 링-디스크 구조물
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9
링 구조물의 제작 방법에 있어서,기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 1차 금속을 증착하는 단계;상기 증착된 1차 금속의 표면에 비드를 폐쇄 패킹하는 단계;상기 폐쇄 패킹을 통해 배치된 비드들을 식각하는 단계;상기 1차 금속을 비드의 폭만큼 식각한 이후에 비드의 폭보다 더 작도록 식각하는 언더컷을 수행하는 단계;상기 1차 금속이 식각됨으로써 비드들 사이의 갭만큼 노출된 기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 2차 금속을 증착하는 단계;상기 비드를 제거함으로써 1차 금속과 2차 금속 사이의 나노 사이즈의 갭이 형성된 링 구조물을 추출하는 단계를 포함하고,상기 링 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고, 1차 금속과 2차 금속 사이에 나노 사이즈의 갭만큼의 링이 형성되는 링 구조물의 제작 방법
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제9항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 1차 금속에 대해 적용되는 언더컷 정도에 따라 달라지는 링 구조물의 제작 방법
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제9항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 상기 비드의 하단에 배치된 1차 금속의 폭이 비드의 폭보다 더 작아지도록 1차 금속을 식각하는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 링 구조물의 제작 방법
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제9항에 있어서,언더컷을 통해 1차 금속이 추가로 식각되는 정도가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 링 구조물의 제작 방법
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13
제9항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 링 구조물의 제작 방법
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14
링-디스크 구조물의 제작 방법에 있어서,기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 1차 금속을 증착하는 단계;상기 증착된 1차 금속의 표면에 비드를 폐쇄 패킹하는 단계;상기 폐쇄 패킹을 통해 배치된 비드들을 식각하는 단계;상기 1차 금속을 비드의 폭만큼 식각한 이후에 비드의 폭보다 더 작도록 식각하는 언더컷을 수행하는 단계;상기 1차 금속이 식각됨으로써 비드들 사이의 갭만큼 노출된 기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 2차 금속을 증착하는 단계;상기 비드에 대해 리플로우를 수행하는 단계;상기 비드들 사이의 갭을 통해 증착된 2차 금속을 식각하는 단계;상기 비드를 제거함으로써 1차 금속과 2차 금속 사이의 나노 사이즈의 갭이 형성된 링-디스크 구조물을 추출하는 단계를 포함하고,상기 링-디스크 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고, 상기 1차 금속의 둘러싸는 링 형태의 2차 금속이 배치되며,상기 1차 금속과 2차 금속은 나노 사이즈의 갭만큼 이격되는 링-디스크 구조물의 제작 방법
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제14항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 상기 비드의 하단에 배치된 1차 금속의 폭이 비드의 폭보다 더 작아지도록 1차 금속을 식각하는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 링-디스크 구조물의 제작 방법
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제14항에 있어서,상기 2차 금속으로 형성된 링들 사이의 갭은, 상기 1차 금속의 상단에 배치된 비드의 리플로우의 진행 시간에 따라 달라지는 링-디스크 구조물의 제작 방법
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제14항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 링-디스크 구조물의 제작 방법
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링 구조물이 적용된 센서에 있어서,상기 센서는 기판의 표면 또는 광섬유의 단면에 위치한 링 구조물을 통해 측정 대상을 센싱하고,상기 링 구조물은,상기 링 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속에서 나노 사이즈의 갭만큼 이격된 위치에 2차 금속이 배치되며,상기 나노 사이즈의 갭만큼의 폭을 가지는 링이 형성되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 1차 금속에 대해 적용되는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 센서
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링-디스크 구조물이 적용된 센서에 있어서,상기 센서는 기판의 표면 또는 광섬유의 단면에 위치한 링-디스크 구조물을 통해 측정 대상을 센싱하고,상기 링-디스크 구조물은,상기 링-디스크 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속의 둘러싸는 링 형태의 2차 금속이 배치되며,상기 1차 금속과 2차 금속은 나노 사이즈의 갭만큼 이격되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 1차 금속에 대해 적용되는 언더컷의 정도에 따라 달라지는 센서
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