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돔 구조물에 있어서,돔 구조물의 제작 과정에서 사용되는 비드의 하단에 1차 금속이 배치되고,상기 비드의 상단 및 상기 비드들 사이에 2차 금속이 배치되고,상기 비드는 1차 금속의 폭에 대응하는 돔 형태를 나타내며,상기 1차 금속과 상기 2차 금속 사이에 나노 사이즈의 갭이 형성되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 상기 돔 형태의 비드에 캡핑된 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 돔 구조물
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제1항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 상기 비드의 표면에 부착되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지며, 상기 캡핑 물질은 상기 비드의 표면에 화학적으로 반응하여 성장하는 돔 구조물
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제1항에 있어서,상기 캡핑 물질의 두께가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 돔 구조물
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제1항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 돔 구조물
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돔 구조물의 제작 방법에 있어서,기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 1차 금속을 증착하는 단계;상기 증착된 1차 금속의 표면에 비드를 폐쇄 패킹하는 단계;상기 폐쇄 패킹을 통해 배치된 비드들을 식각하는 단계;상기 1차 금속을 비드의 폭만큼 식각하는 단계;상기 1차 금속의 폭만큼 비드를 리플로우하여 상기 비드를 돔 형태로 형성하는 단계;상기 돔 형태의 비드에 캡핑 물질로 캡핑하는 단계;상기 비드에 캡핑된 캡핑 물질 및 상기 비드에 캡핑된 캡핑 물질들 사이의 갭만큼 노출된 기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 2차 금속을 증착하는 단계;상기 비드에 열적 어닐링을 적용함으로써 상기 돔 형태의 비드의 폭을 1차 금속의 폭만큼 축소시키는 단계를 포함하고,상기 2차 금속이 증착된 돔 형태의 비드의 하단에 배치된 1차 금속은, 상기 돔 형태의 비드들 사이에 증착된 2차 금속과 나노 사이즈의 갭만큼의 이격되는 돔 구조물의 제작 방법
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제5항에 있어서,상기 비드의 표면에 부착되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지며, 상기 캡핑 물질은 상기 비드의 표면에 화학적으로 반응하여 성장하는 돔 구조물의 제작 방법
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제5항에 있어서,상기 캡핑 물질의 두께가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 돔 구조물의 제작 방법
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제5항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 돔 구조물의 제작 방법
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돔 구조물이 적용된 센서에 있어서,상기 센서는 기판의 표면 또는 광섬유의 단면에 위치한 돔 구조물을 통해 측정 대상을 센싱하고,상기 돔 구조물은,상기 돔 구조물의 제작 과정에서 사용되는 비드의 하단에 1차 금속이 배치되고,상기 비드의 상단 및 상기 비드들 사이에 2차 금속이 배치되고,상기 비드는 1차 금속의 폭에 대응하는 돔 형태를 나타내며,상기 1차 금속과 상기 2차 금속 사이에 나노 사이즈의 갭이 형성되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 상기 돔 형태의 비드에 캡핑된 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 달라지는 센서
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제9항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 상기 비드의 표면에 부착되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지며, 상기 캡핑 물질은 상기 비드의 표면에 화학적으로 반응하여 성장하는 센서
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제9항에 있어서,상기 캡핑 물질의 두께가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 센서
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제9항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 센서
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