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링 구조물에 있어서,상기 링 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속에서 나노 사이즈의 갭만큼 이격된 위치에 2차 금속이 배치되며,상기 나노 사이즈의 갭만큼의 폭을 가지는 링이 형성되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 링 구조물의 제작 과정에서 비드에 캡핑되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 링 구조물
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제1항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 링 구조물을 제작할 때 사용되는 비드를 둘러싸는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 링 구조물
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제1항에 있어서,상기 캡핑 물질의 두께가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 링 구조물
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제1항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료이며,상기 캡핑 물질은, 시드(seed)인 비드에서 화학적인 성장함으로써 비드에 캡핑되는 링 구조물
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링-디스크 구조물에 있어서,상기 링-디스크 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속의 둘러싸는 링 형태의 2차 금속이 배치되며,상기 1차 금속과 2차 금속은 나노 사이즈의 갭만큼 이격되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 링-디스크 구조물의 제작 과정에서 비드에 캡핑되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 링-디스크 구조물
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제5항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 링-디스크 구조물을 제작할 때 사용되는 비드를 둘러싸는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 링-디스크 구조물
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제5항에 있어서,상기 캡핑 물질의 두께가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 링-디스크 구조물
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8
제5항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료이며,상기 캡핑 물질은, 시드(seed)인 비드에서 화학적인 성장함으로써 비드에 캡핑되는 링-디스크 구조물
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링 구조물의 제작 방법에 있어서,기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 1차 금속을 증착하는 단계;상기 증착된 1차 금속의 표면에 비드를 폐쇄 패킹하는 단계;상기 폐쇄 패킹을 통해 배치된 비드들을 식각하는 단계;상기 1차 금속을 비드의 폭만큼 식각하는 단계;상기 비드에 캡핑 물질로 캡핑하는 단계;상기 캡핑 물질로 캡핑된 비드의 상단과 상기 비드의 캡핑된 캡핑 물질들 사이의 갭만큼 노출된 기판의 표면 또는 광섬유의 코어층에 2차 금속을 증착하는 단계;상기 비드를 제거함으로써 1차 금속과 2차 금속 사이의 나노 사이즈의 갭이 형성된 링 구조물을 추출하는 단계를 포함하고,상기 링 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고, 1차 금속과 2차 금속 사이에 나노 사이즈의 갭만큼의 링이 형성되는 링 구조물의 제작 방법
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10
제9항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 비드에 캡핑되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 링 구조물의 제작 방법
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11
제10항에 있어서,캡핑 물질의 두께가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 링 구조물의 제작 방법
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12
제9항에 있어서,상기 캡핑 물질은, 시드(seed)인 비드에서 화학적인 성장함으로써 비드에 캡핑되는 링 구조물의 제작 방법
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13
제9항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료인 링 구조물의 제작 방법
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14
링-디스크 구조물의 제작 방법에 있어서,기판의 표면 또는 광섬유의 코어층의 단면에 1차 금속을 증착하는 단계;상기 증착된 1차 금속의 표면에 비드를 폐쇄 패킹하는 단계;상기 폐쇄 패킹을 통해 배치된 비드들을 식각하는 단계;상기 1차 금속을 비드의 폭만큼 식각하는 단계;상기 비드를 캡핑 물질로 캡핑하는 단계;상기 캡핑 물질로 캡핑된 비드의 상단과 상기 비드의 캡핑된 캡핑 물질들 사이의 갭만큼 노출된 기판의 표면 또는 광섬유의 코어층에 2차 금속을 증착하는 단계;상기 비드에 대해 리플로우를 수행하는 단계;상기 비드의 캡핑된 캡핑 물질들 사이의 갭을 통해 증착된 2차 금속을 식각하는 단계;상기 비드를 제거함으로써 1차 금속과 2차 금속 사이의 나노 사이즈의 갭이 형성된 링-디스크 구조물을 추출하는 단계를 포함하고,상기 링-디스크 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고, 상기 1차 금속의 둘러싸는 링 형태의 2차 금속이 배치되며,상기 1차 금속과 2차 금속은 나노 사이즈의 갭만큼 이격되는 링-디스크 구조물의 제작 방법
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제14항에 있어서,상기 나노 사이즈의 갭은, 비드에 캡핑되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 링-디스크 구조물의 제작 방법
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제14항에 있어서,상기 캡핑 물질의 두께가 증가할수록 상기 나노 사이즈의 갭은 증가하는 링-디스크 구조물의 제작 방법
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제14항에 있어서,상기 1차 금속과 2차 금속은 전도성을 가지며, 서로 다른 재료이거나 또는 서로 동일한 재료이고,상기 캡핑 물질은, 시드(seed)인 비드에서 화학적인 성장함으로써 비드에 캡핑되는 링-디스크 구조물의 제작 방법
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18
링 구조물이 적용된 센서에 있어서,상기 센서는 기판의 표면 또는 광섬유의 단면에 위치한 링 구조물을 통해 측정 대상을 센싱하고,상기 링 구조물은,상기 링 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속에서 나노 사이즈의 갭만큼 이격된 위치에 2차 금속이 배치되며,상기 나노 사이즈의 갭만큼의 폭을 가지는 링이 형성되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 링 구조물의 제작 과정에서 비드에 캡핑되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 센서
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19
링-디스크 구조물이 적용된 센서에 있어서,상기 센서는 기판의 표면 또는 광섬유의 단면에 위치한 링-디스크 구조물을 통해 측정 대상을 센싱하고,상기 링-디스크 구조물의 중앙에 디스크 형태의 1차 금속이 배치되고,상기 1차 금속의 둘러싸는 링 형태의 2차 금속이 배치되며,상기 1차 금속과 2차 금속은 나노 사이즈의 갭만큼 이격되고,상기 나노 사이즈의 갭은, 링-디스크 구조물의 제작 과정에서 비드에 캡핑되는 캡핑 물질의 두께에 따라 달라지는 센서
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