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GaN FET 구동 드라이버를 포함하는 VCSEL 패키지

  • 기술번호 : KST2023005562
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 GaN FET 구동 드라이버를 포함하는 VCSEL 패키지를 개시한다. 본 실시예의 일 측면에 의하면, 패키지 내 필연적으로 발생하는 저항, 인덕턴스 및 캐패시턴스의 영향을 최소화하여 출력광의 특성을 향상시킨 VCSEL 패키지를 제공한다
Int. CL H01S 5/183 (2021.01.01)
CPC H01S 5/18366(2013.01) H01S 5/18327(2013.01) H01S 5/18313(2013.01)
출원번호/일자 1020210181007 (2021.12.16)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0091668 (2023.06.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이건화 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김태영 대한민국 서울 송파구 송파대로 *** (문정동) B동 ***호(태정특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2021-1462067-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.11.18 수리 (Accepted) 4-1-2022-5272011-98
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2023.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2023-0045206-09
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2023-5038434-09
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2023.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0233352-98
7 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2023.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2023-0513821-43
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2023.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2023-0573775-25
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2023.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2023-0573770-08
10 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2023.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2023-5192268-94
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치된 VCSEL 어레이;상기 VCSEL 어레이로부터 기 설정된 반경 내 배치되어 상기 VCSEL 어레이의 동작을 제어하는 스위치; 및 하우징을 포함하고,상기 VCSEL 어레이는 m개의 행과 n개의 열을 가지고, 각 열마다 병렬로 연결된 VCSEL을 포함하며,상기 VCSEL은,제1 극성 도펀트로 도핑된 제1 기판;상기 제1 기판 상에 위치하며, 복수의 DBR(Distributed Bragg Reflector) 페어를 포함하는 제1 반사부;상기 제1 반사부의 상부에 위치하며, 복수의 DBR 페어를 포함하는 제2 반사부;상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부의 사이에 위치하여, 상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 중 어느 하나에서 생성된 정공과 나머지 하나에서 생성된 전자가 재결합되는 캐비티층;상기 캐비티층 및 상기 제1 반사부나 상기 제2 반사부 사이에 위치하여, 출력될 레이저의 특성 및 개구부의 직경을 결정하는 산화막층;상기 제2 반사부 상에 코팅되어, 상기 제1 반사부, 상기 제2 반사부, 상기 캐비티층 및 상기 산화막층을 외부로부터 보호하는 절연막;상기 제2 반사부와 전기적으로 연결되어, 상기 제2 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제1 전극; 및상기 제1 기판의 하단에 위치하며, 상기 제1 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
2 2
제1항에 있어서,상기 스위치는,n개 만큼 포함되는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 전극은,각 열에 배치된 VCSEL의 공통전극으로 구현되는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서,각 스위치는,상기 제1 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
5 5
기판;상기 기판 상에 배치된 VCSEL 어레이;상기 VCSEL 어레이로부터 기 설정된 반경 내 배치되어 상기 VCSEL 어레이의 동작을 제어하는 스위치; 및 하우징을 포함하고,상기 VCSEL 어레이는 m개의 행과 n개의 열을 가지고, 각 열마다 직렬로 연결된 VCSEL을 포함하며,상기 VCSEL은,제1 극성 도펀트로 도핑된 제1 기판;상기 제1 기판 상에 위치하며, 복수의 DBR(Distributed Bragg Reflector) 페어를 포함하는 제1 반사부;상기 제1 반사부의 상부에 위치하며, 복수의 DBR 페어를 포함하는 제2 반사부;상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부의 사이에 위치하여, 상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 중 어느 하나에서 생성된 정공과 나머지 하나에서 생성된 전자가 재결합되는 캐비티층;상기 캐비티층 및 상기 제1 반사부나 상기 제2 반사부 사이에 위치하여, 출력될 레이저의 특성 및 개구부의 직경을 결정하는 산화막층;상기 제2 반사부 상에 코팅되어, 상기 제1 반사부, 상기 제2 반사부, 상기 캐비티층 및 상기 산화막층을 외부로부터 보호하는 절연막;상기 제2 반사부와 전기적으로 연결되어, 상기 제2 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제1 전극; 및상기 제1 기판의 하단에 위치하며, 상기 제1 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
6 6
제5항에 있어서,상기 스위치는,n개 만큼 포함되는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
7 7
제5항에 있어서,상기 제1 전극은,각 열에 배치된 VCSEL의 공통전극으로 구현되는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 스위치는,상기 제1 전극에 와이어본딩되는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
9 9
기판;상기 기판 상에 배치된 VCSEL 어레이;상기 VCSEL 어레이로부터 기 설정된 반경 내 배치되어 상기 VCSEL 어레이의 동작을 제어하는 스위치; 및 하우징을 포함하고,상기 VCSEL 어레이는 m개의 행과 n개의 열을 가지고, 각 열마다 병렬로 연결된 VCSEL을 포함하며,상기 VCSEL은,무도핑 기판;상기 무도핑 기판 상에 위치하며, 제1 극성 도펀트로 도핑된 제1 기판;상기 제1 기판 상에 위치하며, 복수의 DBR(Distributed Bragg Reflector) 페어를 포함하는 제1 반사부;상기 제1 반사부의 상부에 위치하며, 복수의 DBR 페어를 포함하는 제2 반사부;상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부의 사이에 위치하여, 상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 중 어느 하나에서 생성된 정공과 나머지 하나에서 생성된 전자가 재결합되는 캐비티층;상기 캐비티층 및 상기 제1 반사부나 상기 제2 반사부 사이에 위치하여, 출력될 레이저의 특성 및 개구부의 직경을 결정하는 산화막층;상기 제2 반사부와 전기적으로 연결되어, 상기 제2 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제1 전극;상기 제1 기판 상에서 상기 제1 반사부가 위치하지 않은 나머지 영역에 위치하며, 상기 제1 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제2 전극; 및상기 제2 반사부 및 상기 제2 전극 상에 코팅되어, 상기 제1 반사부, 상기 제2 반사부, 상기 캐비티층, 상기 산화막층 및 상기 제2 전극을 외부로부터 보호하는 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
10 10
제9항에 있어서,상기 하우징은,단차를 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
11 11
제10항에 있어서,상기 VCSEL 어레이로부터 출력되는 광의 경로를 변환하며, 상기 단차에 안착되어 지지되는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
12 12
기판;상기 기판 상에 배치된 VCSEL 어레이;상기 VCSEL 어레이로부터 기 설정된 반경 내 배치되어 상기 VCSEL 어레이의 동작을 제어하는 스위치; 및 하우징을 포함하고,상기 VCSEL 어레이는 m개의 행과 n개의 열을 가지고, 각 열마다 직렬로 연결된 VCSEL을 포함하며,상기 VCSEL은,무도핑 기판;상기 무도핑 기판 상에 위치하며, 제1 극성 도펀트로 도핑된 제1 기판;상기 제1 기판 상에 위치하며, 복수의 DBR(Distributed Bragg Reflector) 페어를 포함하는 제1 반사부;상기 제1 반사부의 상부에 위치하며, 복수의 DBR 페어를 포함하는 제2 반사부;상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부의 사이에 위치하여, 상기 제1 반사부 및 상기 제2 반사부 중 어느 하나에서 생성된 정공과 나머지 하나에서 생성된 전자가 재결합되는 캐비티층;상기 캐비티층 및 상기 제1 반사부나 상기 제2 반사부 사이에 위치하여, 출력될 레이저의 특성 및 개구부의 직경을 결정하는 산화막층;상기 제2 반사부와 전기적으로 연결되어, 상기 제2 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제1 전극;상기 제1 기판 상에서 상기 제1 반사부가 위치하지 않은 나머지 영역에 위치하며, 상기 제1 반사부로 전원이 공급될 수 있도록 하는 제2 전극; 및상기 제2 반사부 및 상기 제2 전극 상에 코팅되어, 상기 제1 반사부, 상기 제2 반사부, 상기 캐비티층, 상기 산화막층 및 상기 제2 전극을 외부로부터 보호하는 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
13 13
제12항에 있어서,상기 제2 반사부는,상기 제1 반사부와 다른 극성 도펀트로 도핑된 반도체층으로 구현되는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
14 14
제12항에 있어서,상기 절연막은,상기 상기 제2 반사부와 상기 제1 전극이 전기적으로 연결될 수 있도록 제1 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 VCSEL 패키지
지정국 정보가 없습니다
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