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성장기판에 형성된 마이크로 LED 칩을 중간기판의 제1면상에 배치되도록 전사하는 제1전사단계와; 상기 중간기판에 전사된 마이크로 LED 칩을 검사하는 검사단계와; 상기 검사단계에서 선별된 불량 마이크로 LED 칩을 상기 중간기판 상에서 제거후 양품의 마이크로 LED 칩으로 교체하는 교체단계와; 상기 중간기판 상의 상기 마이크로 LED 칩을 상기 중간기판에 고정시키는 고정단계와; 상기 중간기판에 고정된 상기 마이크로 LED 칩 상에 배선부를 형성하는 배선단계와; 상기 중간기판으로부터 상기 마이크로 LED 칩들만 백플레인으로 기능하는 후면기판 상으로 전사하는 제2전사단계;를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 있어서,상기 배선단계는 상기 중간기판의 제1면과 상기 마이크로 LED 칩을 함께 감싸도록 제1패시베이션층을 형성하는 제1패시베이션층 형성단계와, 상기 마이크로 LED 칩 상측의 상기 제1패시베이션층 상에 상기 마이크로 LED 칩보다 넓은 면적을 갖고 상기 마이크로 LED 칩에 대응되는 중앙부에 상기 제1패시베이션층의 표면이 노출되도록 상기 마이크로 LED 칩의 상면보다 좁은 면적의 개구부가 마련된 포토레지스트층을 형성하는 포토레지스트층 형성단계와,상기 마이크로 LED 칩의 전극 및 상면 중앙부가 외부로 노출되게 상기 제1패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제1차 에칭단계와,상기 포토레지스트층을 제거하는 포토레지스트층 제거단계와,상기 제1패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제2차 에칭단계와,상기 마이크로 LED 칩의 전극과 전기적으로 연결되도록 제1배선층을 형성하는 제1배선층 형성단계와, 상기 제1패시베이션층 및 상기 제1배선층 상에 제2패시베이션층을 형성하는 제2패시베이션층 형성단계와,상기 마이크로 LED 칩의 상기 제1배선층 상면의 일부가 노출되게 상기 제2패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제3차 에칭단계와,상기 제2패시베이션층에 상기 제1배선층과 전기적으로 연결되도록 제2배선층을 형성하는 제2배선층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2차 에칭단계는 상기 제1패시베이션층이 경화 도중 변형되면서 상기 제1패시베이션층과 상기 마이크로 LED 칩의 계면 부근에서 상기 제1배선층이 단절되는 것을 방지할 수 있도록 상기 마이크로 LED 칩의 상면과 상기 제1패시베이션층의 상면 사이의 거리가 상기 제1배선층의 두께보다 작아지도록 상기 제1패시베이션층을 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2배선층은 상기 제2패시베이션층 상에 노출되도록 형성되고, 상기 후면기판의 제1접속전극과 접속되는 제2양극배선층과, 상기 제2패시베이션층 상에 노출되도록 형성되고, 상기 후면기판의 제2접속전극과 접속되는 제2음극배선층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1패시베이션층은 블랙 매트릭스(black matrix)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2전사단계는 상기 제2배선층 상에 백플레인으로 기능하는 후면기판을 전기적으로 연결시키는 연결단계와, 상기 마이크로 LED 칩과 상기 중간기판 상호간 결합력을 약화 또는 해제시킬 수 있도록 상기 중간기판 측에서 상기 중간기판과 마이크로 LED 칩의 계면 및 상기 중간기판과 제1패시베이션층의 계면을 향해 레이저를 일정 시간 조사한 후에 마이크로 LED 칩과 제1패시베이션층을 중간기판으로부터 분리시키는 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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성장기판에 형성된 마이크로 LED 칩을 중간기판의 제1면상에 배치되도록 전사하는 제1전사단계와; 상기 중간기판에 전사된 마이크로 LED 칩을 검사하는 검사단계와; 상기 검사단계에서 선별된 불량 마이크로 LED 칩을 상기 중간기판 상에서 제거후 양품의 마이크로 LED 칩으로 교체하는 교체단계와; 상기 중간기판 상의 상기 마이크로 LED 칩을 상기 중간기판에 고정시키는 고정단계와; 상기 중간기판에 고정된 상기 마이크로 LED 칩 상에 배선부를 형성하는 배선단계와; 상기 중간기판으로부터 상기 마이크로 LED 칩들만 백플레인으로 기능하는 후면기판 상으로 전사하는 제2전사단계;를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 있어서,상기 배선단계는 상기 중간기판의 제1면과 상기 마이크로 LED 칩을 함께 감싸도록 제1패시베이션층을 형성하는 제1패시베이션층 형성단계와,상기 마이크로 LED 칩 상측의 상기 제1패시베이션층 상에 상기 마이크로 LED 칩보다 넓은 면적을 갖도록 제1포토레지스트층을 형성하는 제1차 포토레지스트층 형성단계와,상기 제1패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제1차 에칭단계와,상기 제1포토레지스트층을 제거하는 제1차 포토레지스트층 제거단계와,상기 마이크로 LED 칩 상측의 상기 제1패시베이션층 상에 상기 마이크로 LED 칩보다 넓은 면적을 갖고 상기 마이크로 LED 칩에 대응되는 중앙부에 상기 제1패시베이션층의 표면이 노출되도록 상기 마이크로 LED 칩의 상면보다 좁은 면적의 개구부가 마련된 제2포토레지스트층을 형성하는 제2차 포토레지스트층 형성단계와,상기 마이크로 LED 칩의 전극 및 상면 중앙부가 외부로 노출되게 상기 제1패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제2차 에칭단계와,상기 제2포토레지스트층을 제거하는 제2차 포토레지스트층 제거단계와,상기 제1패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제3차 에칭단계와,상기 마이크로 LED 칩의 전극과 전기적으로 연결되도록 제1배선층을 형성하는 제1배선층 형성단계와, 상기 제1패시베이션층 및 상기 제1배선층 상에 제2패시베이션층을 형성하는 제2패시베이션층 형성단계와,상기 마이크로 LED 칩의 상기 제1배선층 상면의 일부가 노출되게 상기 제2패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제4차 에칭단계와,상기 제2패시베이션층에 상기 제1배선층과 전기적으로 연결되도록 제2배선층을 형성하는 제2배선층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제6항에 있어서,제3차 에칭단계는상기 제1패시베이션층이 경화 도중 변형되면서 상기 제1패시베이션층과 상기 마이크로 LED 칩의 계면 부근에서 상기 제1배선층이 단절되는 것을 방지할 수 있도록 상기 마이크로 LED 칩의 상면과 상기 제1패시베이션층의 상면 사이의 거리가 상기 제1배선층의 두께보다 작아지도록 상기 제1패시베이션층을 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제2배선층은 상기 제2패시베이션층 상에 노출되도록 형성되고, 상기 후면기판의 제1접속전극과 접속되는 제2양극배선층과, 상기 제2패시베이션층 상에 노출되도록 형성되고, 상기 후면기판의 제2접속전극과 접속되는 제2음극배선층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1패시베이션층은 블랙 매트릭스(black matrix)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제2전사단계는 상기 제2배선층 상에 백플레인으로 기능하는 후면기판을 전기적으로 연결시키는 연결단계와, 상기 마이크로 LED 칩과 상기 중간기판 상호간 결합력을 약화 또는 해제시킬 수 있도록 상기 중간기판 측에서 상기 중간기판과 마이크로 LED 칩의 계면 및 상기 중간기판과 제1패시베이션층의 계면을 향해 레이저를 일정 시간 조사한 후에 마이크로 LED 칩과 제1패시베이션층을 중간기판으로부터 분리시키는 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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