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마이크로 LED 디스플레이 제조방법

  • 기술번호 : KST2023005573
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마이크로 LED 칩과 패시베이션의 계면에서 배선이 단절되는 현상을 방지하여 불량 발생률은 낮추고 수율은 높일 수 있는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법은 제1패시베이션층의 높이를 마이크로 LED 칩의 상면 또는 양전극 및 음전극의 높이보나 낮거나 대등하게 형성(단차를 최대한 줄이도록 형성)하고, 제1배선층의 두께를 제1패시베이션층과 마이크로 LED 칩의 상면 사이의 간격보다 두껍게 형성함으로써 제1패시베이션층의 큐어링 도중 마이크로 LED 칩과 제1패시베이션층의 계면 부근에서 마이크로 LED 칩에 접속되는 제1배선층이 단절되는 현상을 방지할 수 있고 이를 통해 마이크로 LED 디스플레이의 불량 발생률은 낮추고 수율은 높일 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명에 따른 마이크로 LED 디스플레이 제조방법은 전극의 재배열을 통해 전극을 상태적으로 크게 형성할 수 있어서 최종 타겟기판에 실장시 높은 align 정확도가 필요하지 않으므로 매우 작은 전극을 갖는 플립칩을 최종기판에 실장할 시 높은 align 정확도가 요구되는 종래의 방법에 비해 매우 간편하고 쉬운 장점이 있다.
Int. CL H01L 25/075 (2006.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC H01L 25/0753(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 2933/0066(2013.01) H01L 2933/0033(2013.01)
출원번호/일자 1020210183960 (2021.12.21)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0094636 (2023.06.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정탁 광주광역시 광산구
2 박준범 전라남도 장성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-1480972-19
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.11.18 수리 (Accepted) 4-1-2022-5272011-98
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2023-5038434-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2023.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2023.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2023-5192268-94
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번호 청구항
1 1
성장기판에 형성된 마이크로 LED 칩을 중간기판의 제1면상에 배치되도록 전사하는 제1전사단계와; 상기 중간기판에 전사된 마이크로 LED 칩을 검사하는 검사단계와; 상기 검사단계에서 선별된 불량 마이크로 LED 칩을 상기 중간기판 상에서 제거후 양품의 마이크로 LED 칩으로 교체하는 교체단계와; 상기 중간기판 상의 상기 마이크로 LED 칩을 상기 중간기판에 고정시키는 고정단계와; 상기 중간기판에 고정된 상기 마이크로 LED 칩 상에 배선부를 형성하는 배선단계와; 상기 중간기판으로부터 상기 마이크로 LED 칩들만 백플레인으로 기능하는 후면기판 상으로 전사하는 제2전사단계;를 포함하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법에 있어서,상기 배선단계는 상기 중간기판의 제1면과 상기 마이크로 LED 칩을 함께 감싸도록 제1패시베이션층을 형성하는 제1패시베이션층 형성단계와, 상기 마이크로 LED 칩 상측의 상기 제1패시베이션층 상에 상기 마이크로 LED 칩보다 넓은 면적을 갖도록 포토레지스트층을 형성하는 포토레지스트층 형성단계와,상기 제1패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제1차 에칭단계와,상기 포토레지스트층을 제거하는 포토레지스트층 제거단계와,상기 마이크로 LED 칩의 전극 및 상면이 전부 외부로 노출되게 상기 제1패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제2차 에칭단계와,상기 마이크로 LED 칩의 전극과 전기적으로 연결되도록 제1배선층을 형성하는 제1배선층 형성단계와, 상기 제1패시베이션층 및 상기 제1배선층 상에 제2패시베이션층을 형성하는 제2패시베이션층 형성단계와,상기 마이크로 LED 칩의 상기 제1배선층 상면의 일부가 노출되게 상기 제2패시베이션층 일부를 에칭하여 제거하는 제3차 에칭단계와;상기 제2패시베이션층에 상기 제1배선층과 전기적으로 연결되도록 제2배선층을 형성하는 제2배선층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제2차 에칭단계는 상기 제1패시베이션층이 경화 도중 변형되면서 상기 제1패시베이션층과 상기 마이크로 LED 칩의 계면 부근에서 상기 제1배선층이 단절되는 것을 방지할 수 있도록 상기 마이크로 LED 칩의 상면과 상기 제1패시베이션층의 상면 사이의 거리가 상기 제1배선층의 두께보다 작아지도록 상기 제1패시베이션층을 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2배선층은 상기 제2패시베이션층 상에 노출되도록 형성되고, 상기 후면기판의 제1접속전극과 접속되는 제2양극배선층과, 상기 제2패시베이션층 상에 노출되도록 형성되고, 상기 후면기판의 제2접속전극과 접속되는 제2음극배선층을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1패시베이션층은 블랙 매트릭스(black matrix)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2전사단계는 상기 제2배선층 상에 백플레인으로 기능하는 후면기판을 전기적으로 연결시키는 연결단계와, 상기 마이크로 LED 칩과 상기 중간기판 상호간 결합력을 약화 또는 해제시킬 수 있도록 상기 중간기판 측에서 상기 중간기판과 마이크로 LED 칩의 계면 및 상기 중간기판과 제1패시베이션층의 계면을 향해 레이저를 일정 시간 조사한 후에 마이크로 LED 칩과 제1패시베이션층을 중간기판으로부터 분리시키는 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 디스플레이 제조방법
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1 KR1020230094637 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2023120898 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 산업기술혁신사업 스트레처블 패널 제품화를 위한 20% 이상 연신 가능한 12급 연신 패널 및 모듈 공정 기술 개발