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홀로그래픽 이미지 센서에 있어서,외부에서 상기 홀로그래픽 이미지 센서로 입사하는 물체광을 포커싱하는 렌즈;상기 렌즈를 거쳐 입사되는 물체광에 대해 기 설정된 파장대역의 광만을 투과시키는 필터;자신에 입사하는 간섭광을 입사받아 홀로그래픽 이미지를 센싱하는 수광부; 및상기 기 설정된 파장대역을 갖는 참조광을 상기 수광부로 직접 조사하는 참조광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 수광부는,포토 다이오드로 구현되는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 수광부로 물체광 및 참조광 이외의 잡광이 입사되는 것을 방지하기 위한 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제3항에 있어서,상기 격벽은,상기 수광부로부터 기 설정된 범위 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제3항에 있어서,상기 참조광원은,상기 격벽의 일 위치에 부착되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제1항에 있어서,상기 참조광원은,나노 와이어 트랜지스터(Nano Wire Transistor)로 구현되는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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홀로그래픽 이미지 센서에 있어서,외부에서 상기 홀로그래픽 이미지 센서로 입사하는 물체광을 포커싱하며, 상기 홀로그래픽 이미지 센서 내부를 향하는 일 면에 반사코팅을 포함하는 렌즈;상기 렌즈를 거쳐 입사되는 물체광에 대해 기 설정된 파장대역의 광만을 투과시키는 필터;자신에 입사하는 간섭광을 입사받아 홀로그래픽 이미지를 센싱하는 수광부; 및상기 기 설정된 파장대역을 갖는 참조광을 상기 렌즈로 조사하는 참조광원을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제7항에 있어서,상기 참조광원은,참조광을 상기 렌즈로 조사하여, 상기 렌즈 내 반사코팅에 반사됨으로서 상기 수광부로 입사하도록 하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제7항에 있어서,상기 수광부로 물체광 및 참조광 이외의 잡광이 입사되는 것을 방지하기 위한 격벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제9항에 있어서,상기 격벽은,상기 수광부로부터 기 설정된 범위 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제7항에 있어서,상기 참조광원은,나노 와이어 트랜지스터(Nano Wire Transistor)로 구현되는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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제7항에 있어서,상기 수광부는,포토 다이오드로 구현되는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 이미지 센서
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