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기판 상에 마스크층이 형성되는 제1 형성과정;상기 마스크층 내 기 설정된 패턴의 윈도우층이 형성되는 제2 형성과정;상기 윈도우층이 형성된 마스크층 상으로 기 설정된 환경에서 상기 기판의 성분을 재성장시키는 재성장과정;재성장한 기판 상에 2차원 소재를 증착하는 증착과정;증착된 2차원 소재 상에 광소자의 에피층을 성장시키는 성장과정; 및증착된 2차원 소재를 분리하는 분리과정을 포함하며,상기 재성장과정에 따라, 상기 기판과 동일한 성분이 삼각형 형태 또는 등변 사다리꼴 형태로 성장하며,상기 2차원 소재는 자신이 증착된 기판의 특성을 그대로 갖는 박막 형태로 증착되며, 투명도와 유연성을 가지면서, 외력을 받아 분리되거나 외력이 가해지는 방향대로 형상이 변경되는 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기 설정된 패턴은,상기 마스크층으로 기 설정된 간격을 가지며 기 설정된 방향으로 식각이 진행되며 형성되는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 재성장과정에서 재성장한 기판은,기 설정된 환경에 따라 서로 다른 형상으로 재성장하는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 기 설정된 환경은,압력 및 온도가 달라지는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제4항에 있어서,상기 재성장과정에서 재성장한 기판은,상대적으로 압력이 증가하고 온도가 하강할수록 삼각형 형상을 띄고, 상대적으로 압력이 감소하고 온도가 상승할수록 윗변이 길어지고 빗변이 짧아지는 사다리꼴 형상을 띄는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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삭제
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자
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기판 상에 마스크층이 형성되는 제1 형성과정;상기 마스크층 내 기 설정된 패턴의 윈도우층이 형성되는 제2 형성과정;상기 윈도우층이 형성된 마스크층 상으로 기 설정된 환경에서 상기 기판의 성분을 재성장시키는 재성장과정;재성장한 기판 상에 2차원 소재를 증착하는 증착과정;증착된 2차원 소재 상에 광소자의 에피층을 성장시키는 성장과정; 증착된 2차원 소재를 분리하는 분리과정; 및분리된 2차원 소재 및 상기 2차원 소재 상에 성장한 에피층을 다른 기판으로 전사하는 전사과정을 포함하며,상기 재성장과정에 따라, 상기 기판과 동일한 성분이 삼각형 형태 또는 등변 사다리꼴 형태로 성장하며,상기 2차원 소재는 자신이 증착된 기판의 특성을 그대로 갖는 박막 형태로 증착되며, 투명도와 유연성을 가지면서, 외력을 받아 분리되거나 외력이 가해지는 방향대로 형상이 변경되는 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 에피층은,n타입 반도체층, 활성층 및 p타입 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 재성장과정에서 재성장한 기판은,기 설정된 환경에 따라 삼각형 또는 사다리꼴 형상으로 재성장하는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제10항에 있어서,상기 활성층은,성장한 위치에 따라 서로 다른 파장대역의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 2차원 소재는,연직 상·하방으로부터 압력을 받아 반듯하게 펴지는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 2차원 소재는,좌·우측으로부터 인장력을 받아 반듯하게 펴지는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자 제조방법
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제8항 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 다파장 광소자
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