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기판에 적층되며 2차원 전자 가스 레이어를 포함하는 레이어들; 상기 레이어들의 일측에 형성되는 제2 전극; 및 상기 2차원 전자 가스 레이어의 상측에 배치된 레이어들을 관통하여 2차원 전자 가스 레이어까지 연장되는 제1 전극; 을 포함하되, 상기 제1 전극은 2차원 전자 가스 레이어까지 연장되는 복수의 브랜치들과 이 브랜치들을 상부에서 연결하는 몸체로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 제1 전극의 2차원 전자 가스 레이어를 통한 전류 이동통로의 전류 특성은 브랜치의 개수와 개별 브랜치의 단위 외주길이의 곱에 비례하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제1 전극의 브랜치의 단면은 사각형, 원형, 타원형, 마름모형, 무정형 중 어느 하나의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 1항에 있어서, 상기 레이어들은, 상기 기판의 위에 형성된 버퍼 레이어;상기 버퍼 레이어의 위에 형성되며, 비도핑된 질화갈륨으로 구성되고 상단에 2차원 전자 가스 레이어가 배치된 채널 레이어; 상기 채널 레이어의 위에 형성된 베리어 레이어;상기 베리어 레이어의 위에 형성된 캡핑 레이어; 및상기 캡핑 레이어의 상단에 형성된 패시베이션 레이어; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 4항에 있어서, 상기 채널 레이어의 2차원 전자 가스 레이어와 상기 베리어 레이어 사이에 형성된 질화알루미늄 레이어; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 4항에 있어서,상기 캡핑 레이어는 질화갈륨으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 4항에 있어서,상기 베리어 레이어는 알루미늄 질화갈륨(AlxGa1-xN)으로 이루어지며, x의 값은 0
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제 4항에 있어서,상기 기판은 사파이어로 구성되고, 상기 버퍼 레이어는 질화갈륨으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 4항에 있어서,상기 패시베이션 레이어는 알루미나(Al2O3), 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2)로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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10
(a) 기판에 2차원 전자 가스 레이어를 포함하는 레이어들을 적층하는 단계;(b) 기판에 적층된 레이어들에 식각을 진행하여 상기 2차원 전자 가스 레이어의 상측에 배치된 레이어들을 관통하여 2차원 전자 가스 레이어까지 연장되는 복수의 트랜치들을 형성시키는 단계;(c) 기판에 적층된 레이어들의 일측에 캐소드 전극으로서 제2 전극을 증착시키는 단계; 및 (d) 기판에 형성된 복수의 트랜치들에 쇼트키 메탈을 증착시켜 애노드 전극으로서 제1 전극을 형성시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 10항에 있어서, 상기 (d) 단계에서, 상기 제1 전극은 2차원 전자 가스 레이어까지 연장되도록 상기 트랜치들에 증착되는 복수의 브랜치들과 이 브랜치들을 상부에서 연결하는 몸체로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 제1 전극의 브랜치의 단면은 사각형, 원형, 타원형, 마름모형, 무정형 중 어느 하나의 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 10항에 있어서, 상기 (a) 단계는, 기판 위에 버퍼 레이어를 형성하는 단계;상기 버퍼 레이어의 위에, 비도핑된 질화갈륨으로 구성되고 상단에 2차원 전자 가스 레이어가 배치되는 채널 레이어를 형성하는 단계;상기 채널 레이어의 위에 베리어 레이어를 형성하는 단계;상기 베리어 레이어의 위에 캡핑 레이어를 형성하는 단계; 및 상기 캡핑 레이어의 위에 패시베이션 레이어를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 베리어 레이어를 형성하는 단계는, 상기 채널 레이어의 2차원 전자 가스 레이어의 위에 질화알루미늄 레이어를 형성하는 단계;상기 질화알루미늄 레이어의 위에 상기 베리어 레이어를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 캡핑 레이어는 질화갈륨으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 베리어 레이어는 알루미늄 질화갈륨(AlxGa1-xN)으로 이루어지며, x의 값은 0
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제 13항에 있어서,상기 기판은 사파이어로 구성되고, 상기 버퍼 레이어는 질화갈륨으로 구성되며,상기 패시베이션 레이어는 알루미나(Al2O3), 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2)로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 (d) 단계 이후에, 상기 제1 전극의 표면에 대해 자외선 표면처리, 오존 표면처리 및 광학적 표면처리 중 어느 하나 이상을 선택적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조 방법
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