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스트라이프 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023005651
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스트라이프 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 트랜지스터의 제조 방법은, 일면에 웨이퍼 산화층이 형성된 웨이퍼 기판의 일면에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 및 상기 웨이퍼 산화층의 일면에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 탄소나노튜브 용액 속에 상기 웨이퍼 기판을 담금 처리하여, 상기 게이트 절연층의 일면에 탄소나노튜브를 포함하는 채널 물질층을 형성하는 단계; 상기 채널 물질층의 일면에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 채널 물질층의 일면 중에 소스 전극 및 드레인 전극의 사이 영역에 대해 식각 공정을 수행하여 스트라이프 형태를 가지는 서로 이격된 다수의 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H10K 99/00 (2023.01.01)
CPC H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H10K 85/221(2013.01)
출원번호/일자 1020220086706 (2022.07.14)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0105631 (2023.07.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220000953   |   2022.01.04
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.07.14)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성진 서울특별시 영등포구
2 이용우 경기도 구리시
3 전주원 경기도 의정부시 호암로 ***,
4 김대환 서울특별시 강남구
5 김동명 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0733436-37
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일면에 웨이퍼 산화층이 형성된 웨이퍼 기판의 일면에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 및 상기 웨이퍼 산화층의 일면에 게이트 절연층을 형성하는 단계;탄소나노튜브 용액 속에 상기 웨이퍼 기판을 담금 처리하여, 상기 게이트 절연층의 일면에 탄소나노튜브를 포함하는 채널 물질층을 형성하는 단계;상기 채널 물질층의 일면에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 채널 물질층의 일면 중에 소스 전극 및 드레인 전극의 사이 영역에 대해 식각 공정을 수행하여 스트라이프 형태를 가지는 서로 이격된 다수의 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계;를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 용액은 반도체성 탄소나노튜브 용액을 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 반도체성 탄소나노튜브 용액은 전체 중량부 100 중에서 95 이하의 중량부의 반도체성 탄소노노튜브를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 다수의 탄소나노튜브 채널은 각각 일단이 소스 전극에 전기적으로 연결되고 타단이 드레인 적극에 전기적으로 연결되는 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 제1 길이 방향을 따라 서로 이격 배치되며,상기 다수의 탄소나노튜브 채널은 제1 길이 방향에 대해 일정 각도를 가지는 제2 길이 방향을 따라 서로 이격 배치되는 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 게이트 절연층을 형성하는 단계와 상기 채널 물질층을 형성하는 단계의 사이에, 상기 게이트 절연층의 일면에 대해 탄소나노튜브의 고정을 위한 표면 기능화 처리(surface functionalization)를 수행하는 단계를 더 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 표면 기능화 처리를 수행하는 단계는 상기 게이트 절연층의 일면에 아민 말단 접착 단층(amine-terminated adhesion monolayer)을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서상기 표면 기능화 처리를 수행하는 단계 전에, 상기 게이트 절연층의 일면이 친수성이 되도록 산소 플라즈마(Oxygen plasma) 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 용액은 용기에 담겨 다수의 웨이퍼 기판의 담금 처리에 재사용되는 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 다수의 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계의 이후에, 상기 웨이퍼 기판을 탈이온수(deionized water) 및 IPA(isopropyl alcohol)를 이용하여 세척하는 단계를 더 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법을 이용하여 제조된 트랜지스터
12 12
웨이퍼 산화층이 형성된 웨이퍼 기판의 일면에 마련된 게이트 전극;상기 게이트 전극 및 상기 웨이퍼 산화층의 일면에 마련된 게이트 절연층;탄소나노튜브를 포함하며 상기 게이트 절연층의 일면에 마련된 채널 물질층;상기 채널 물질층의 일면에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 채널 물질층의 일면 중에 소스 전극 및 드레인 전극의 사이 영역에서 스트라이프 형태를 가지는 서로 이격된 다수의 탄소나노튜브 채널;을 포함하는 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 국민대학교 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 웨이퍼 기반의 소멸, 분해가 가능한 탄소나노튜브 전자소자, 회로 상용화 연구 및 나노 시스템 개발
2 과학기술정보통신부 국민대학교 이공학분야(S/ERC) 하이브리드 디바이스를 이용한 일주기 ICT 연구센터