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제1도전성 반도체층, 광활성층 및 제2도전성 반도체층을 적어도 포함하며, 층들의 적층방향인 두께와 상기 적층방향에 수직한 어느 일 끝단면에서 장축의 길이 간 비가 1: 0
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제1항에 있어서,상기 제1도전성 반도체층 및 상기 제2도전성 반도체층 중 어느 하나는 n형 III-질화물 반도체층이고, 다른 하나는 p형 III-질화물 반도체층인 초박형 LED 소자
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제1항에 있어서,초박형 LED 소자는 최대면 면적이 4㎛2 이하인 초박형 LED 소자
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제1항에 있어서,두께가 2㎛ 이하인 초박형 LED 소자
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제1항에 있어서,상기 제1도전성 반도체층은 n형 III-질화물 반도체층이고, 상기 광활성층에서 재결합되는 전자와 전공의 수가 균형이 이루어지도록 제1도전성 반도체층 하부에 전자지연층을 더 포함하는 초박형 LED 소자
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제5항에 있어서,상기 전자지연층은 CdS, GaS, ZnS, CdSe, CaSe, ZnSe, CdTe, GaTe, SiC, ZnO, ZnMgO, SnO2, TiO2, In2O3, Ga2O3, Si, 폴리파라페닐렌 비닐렌(poly(paraphenylene vinylene)) 및 이의 유도체, 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(3-알킬티오펜)(poly(3-alkylthiophene)) 및 폴리(파라페닐렌(poly(paraphenylene))로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 초박형 LED 소자
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제5항에 있어서,상기 제1도전성 반도체층은 도핑된 n형 III-질화물 반도체층이며, 상기 전자지연층은 도핑농도가 상기 제1도전성 반도체층보다 낮은 III-질화물 반도체인 초박형 LED 소자
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제1항에 있어서,초박형 LED 소자의 노출된 측면을 둘러싸는 보호피막을 더 포함하는 초박형 LED 소자
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제1항에 있어서,초박형 LED 소자의 최상부층 또는 최하부층 상에는 구동전극의 목적하는 위치에 초박형 LED 소자를 두께방향으로 세워서 조립시키기 위한 선택적 결합층을 더 포함하며, 상기 선택적 결합층은 자성층 또는 화학결합 유도층인 초박형 LED 소자
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 초박형 LED 소자를 다수 개 함유하는 잉크젯용 잉크조성물
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 초박형 LED 소자가 장착된 광원
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