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반도체 나노입자를 포함하는 전구체 용액을 준비하는 단계;상기 전구체 용액에 도핑입자를 투입시켜 플라즈몬 나노입자를 제조하는 단계; 및플라즈몬 나노입자가 제조된 결과물에 리간드 제거(Ligand stripping)시켜 분산시키는 단계;를 포함하는 박막형 광학 소재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 나노입자는 인듐 옥사이드 (In2O3), 텅스텐 옥사이드(WOx), 몰리브덴 옥사이드(MoOx), 아연 옥사이드(ZnO), 티타늄 옥사이드(TiO2), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 바나듐 옥사이드(V2O3/VO2), 하프늄 옥사이드(HfO2), 세륨 옥사이드(CeO2), 황화구리(CuSx), 실리콘 나이트라이드(SiN), 및 티타늄 나이트라이드(TiN)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액의 용매는 올레핀 산(olefin acid), 오레일 알콜(Oleyl alcohol), 옥틸아민(octylamine), 트리옥틸아민(Trioctylamine), 및 옥타데켄(Octadecene)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도핑입자는 반도체 나노입자의 자유전자(Free Carrier)와의 도핑을 유도시키는 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도핑입자는 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 세륨(Ce), 세슘(Cs), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 텅스텐(W), 및 몰리브덴(Mo)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 양이온 입자; 또는플로오르(F), 염소(Cl), 및 브롬(Br)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 음이온 입자인 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도핑입자는, 도핑입자를 포함하는 전구체 용액 100중량% 기준,50중량% 이하의 함량으로 포함되는 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈몬 나노입자의 형상은구형(Sphere), 정육면체 큐브(cube), 모서리 둥근 큐브(rounded cube), 다면체 입자(polygon particle), 및 비균일 입자(irregular particle)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라즈몬 나노입자가 제조된 결과물을 무극성 용액과 혼합하여 분산시키는 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제8항에 있어서,상기 무극성 용액은 헥세인(Hexane), 톨루엔(Toluene), 및 벤젠 (Benzene), 클로로포름 (Chloroform), 펜테인 (Pentane), 옥테인(Octane), 테트라클로로에틸렌(Tetrachloroethylene)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제8항에 있어서,메에르바윈 염(Meerwein salt)을 더 추가시켜 분산시키는 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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제10항에 있어서,상기 메에르바윈 염(Meerwein salt)은 Tetrafluoroborate기 nitrosonium tetrafluoroborate, triethyloxonium tetrafluoroborate, 또는 NaOH, KOH등 히드록실 (Hydroxyl)기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 박막형 광학 소재 제조방법
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플라즈몬 나노입자가 고르게 분산되고,상기 플라즈몬 나노입자 표면에 리간드기는 제거된 것을 특징으로 하는 박막형 광학 소재
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제12항에 있어서,상기 플라즈몬 나노입자에서 국소 표면 플라즈몬 공명(Localized surface plasmon resonance; LSPR)이 발생하여 적외선만을 선택적으로 흡광시키는 것인 박막형 광학 소재
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제12항에 있어서,박막형 필름 상에 위치하여, 상기 플라즈몬 나노입자가 고르게 분산된 나노입자층인 것인 박막형 광학 소재
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제12항에 있어서,상기 플라즈몬 나노입자가 고르게 분산된 박막형 필름 형태인 것인 박막형 광학 소재
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제12항에 있어서,상기 플라즈몬 나노입자가 고르게 분산된 박막형 유리 형태인 것인 박막형 광학 소재
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