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제1항에 있어서,상기 산화제는, 과산화수소(H2O2), 과황산염(SO2-), 과망간산염(MnO4-), 과염소산염(ClO3-), 및 과요오드산(HIO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 산화제는 상기 W-FTO/oxidant 중 7 vol% 내지 20 vol%의 비율로 첨가된 것인, 투명전도막
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제3항에 있어서,상기 주석 전구체는, SnCl4ㆍ5H2O, SnCl2·2H2O, SnCl2, SnCl4, (C4H9)2Sn(CH3COO)2, (CH3)2SnCl2 및 (C4H9)3SnH로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 불소 전구체는, NH4F, HF 및 아세틸 플루오라이드(acetyl fluoride)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 텅스텐 전구체는, 육염화 텅스텐(Tungsten hexachloride, WCl6), 텅스텐 옥시테트라클로라이드(Tungsten(VI) oxytetrachloride, WOCl4) 또는 이 둘을 포함하고, 상기 텅스텐 전구체는 상기 W-FTO/oxidant 중 1 at% 내지 5 at%의 비율로 첨가된 것이고, 상기 산화제는, 과산화수소(H2O2), 과황산염(SO2-), 과망간산염(MnO4-), 과염소산염(ClO3-), 및 과요오드산(HIO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 산화제는 상기 W-FTO/oxidant 전구체 중 7 vol% 내지 20 vol%의 비율로 첨가된 것이고,상기 W-FTO/oxidant 막을 형성하는 단계는, 0
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