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인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상(stable phase) 계산 방법에 있어서,인듐-갈륨 산화물 합금의 결정 구조에 따른 원자 구조 모델을 생성하는 단계;상기 생성된 결정 구조에 따른 원자 구조 모델에서 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 계산하는 단계;정규 용액 모델(RSM: Regular solution Model)에 상기 계산된 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 이용하여 상기 결정 구조에 따른 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피(mixing enthalpy)를 계산하는 단계;상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피를 계산하는 단계; 및상기 계산된 믹싱 엔탈피를 포함하여 상태도를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 방법
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제1항에 있어서,상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 결정 구조에 따른 원자 구조 모델을 생성하는 단계는,구조 최적화(optimization) 과정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 방법
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제1항에 있어서,상기 생성된 결정 구조에 따른 원자 구조 모델에서 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 계산하는 단계는,양자역학 기반 제일원리계산을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 방법
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제1항에 있어서,정규 용액 모델에 상기 계산된 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 이용하여 상기 결정 구조에 따른 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피를 계산하는 단계 및 상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피를 계산하는 단계에서의 상기 정규 용액 모델은,인듐-갈륨 산화물 합금이나 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 두 물질의 혼합 엔탈피인 믹싱 엔탈피의 증가량(??Hmix)만을 추가하여 믹싱 엔탈피를 계산하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 방법
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제1항에 있어서,상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피를 계산하는 단계에서,상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류는 알루미늄 옥사이드(Al2O3) 기판, 란타늄 플루오라이드(LaF3) 기판 및 리튬 탄탈라이트(LiTaO3) 기판 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 방법
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제1항에 있어서,상기 계산된 믹싱 엔탈피를 포함하여 상태도를 계산하는 단계에서,상기 상태도는 갈륨 산화물의 결정구조, 온도 및 인듐의 조성비를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 방법
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인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상(stable phase) 계산 장치에 있어서,인듐-갈륨 산화물 합금의 결정 구조에 따른 원자 구조 모델을 생성하는 구조 모델 생성부;상기 구조 모델 생성부에서 생성된 결정 구조에 따른 원자 구조 모델에서 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 계산하는 합금 내부 에너지 계산부;정규 용액 모델(RSM: Regular solution Model)에 상기 합금 내부 에너지 계산부에서 계산된 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 이용하여 상기 결정 구조에 따른 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피(mixing enthalpy)를 계산하고, 상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피를 계산하는 믹싱 엔탈피 계산부; 및상기 믹싱 엔탈피 계산부에서 계산된 믹싱 엔탈피를 포함하여 상태도를 계산하는 상태도 계산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 장치
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제7항에 있어서,상기 구조 모델 생성부에서 인듐-갈륨 산화물 합금의 결정 구조에 따른 원자 구조 모델을 생성하는 것은,구조 최적화(optimization) 과정을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 장치
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제7항에 있어서,상기 합금 내부 에너지 계산부에서 상기 생성된 결정 구조에 따른 원자 구조 모델에서 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 계산하는 것은,양자역학 기반 제일원리계산을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 장치
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제7항에 있어서,상기 믹싱 엔탈피 계산부에서의 상기 정규 용액 모델은,인듐-갈륨 산화물 합금이나 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 두 물질의 혼합 엔탈피인 믹싱 엔탈피의 증가량(??Hmix)만을 추가하여 믹싱 엔탈피를 계산하는 것인 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 장치
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제7항에 있어서,상기 믹싱 엔탈피 계산부에서 상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피를 계산할 때,상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류는 알루미늄 옥사이드(Al2O3) 기판, 란타늄 플루오라이드(LaF3) 기판 및 리튬 탄탈라이트(LiTaO3) 기판 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 장치
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제7항에 있어서,상기 상태도 계산부에서 계산되는 상태도는, 갈륨 산화물의 결정구조, 온도 및 인듐의 조성비를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 장치
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인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상(stable phase) 계산 방법을 구현하기 위한 프로그램을 기록한 기록매체에 있어서,인듐-갈륨 산화물 합금의 결정 구조에 따른 원자 구조 모델을 생성하는 단계;상기 생성된 결정 구조에 따른 원자 구조 모델에서 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 계산하는 단계;정규 용액 모델(RSM: Regular solution Model)에 상기 계산된 인듐-갈륨 산화물 합금의 내부 에너지를 이용하여 상기 결정 구조에 따른 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피(mixing enthalpy)를 계산하는 단계;상기 결정 구조에 따른 인듐-갈륨 산화물 합금이 결합되는 기판의 종류에 따라 결합하였을 때 상기 인듐-갈륨 산화물 합금의 믹싱 엔탈피를 계산하는 단계; 및상기 계산된 믹싱 엔탈피를 포함하여 상태도를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐-갈륨 산화물 반도체의 안정상 계산 방법을 구현하기 위한 프로그램을 기록한 기록매체
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