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단결정 성장용 분말 시료를 준비하는 시료 준비 단계;상기 시료를 라만 분석하는 라만 분석단계; 및라만 분석 값을 통해 상기 시료의 순도를 측정하는 순도측정 단계를 포함하는,단결정 성장용 분말의 순도 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 시료 준비 단계는상기 시료를 분쇄하는 미분쇄 단계; 및상기 미분쇄된 시료 내의 불순물을 제거하는 불순물 제거단계를 포함하는,단결정 성장용 분말의 순도 측정 방법
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제2항에 있어서,상기 미분쇄 단계는 분말 입자의 크기가 10μm 이하가 되도록 분쇄하는 단계를 포함하는,단결정 성장용 분말의 순도 측정 방법
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제2항에 있어서,상기 미분쇄 단계는볼 밀링 장치를 이용하여 시료를 분쇄하는 단계를 포함하는, 단결정 성장용 분말의 순도 측정 방법
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제2항에 있어서,상기 불순물 제거단계는불산 처리하는 산처리 공정 단계; 및상기 산처리된 분말에 열을 가하는 열처리 공정 단계를 포함하는,단결정 성장용 분말의 순도 측정 방법
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제5항에 있어서,상기 열처리 공정 단계는전기로 대기(Air) 분위기 하에서 750 ℃이상의 온도로 10시간 이상 열처리하는 단계를 포함하는,단결정 성장용 분말의 순도 측정 방법
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제1항에 있어서,상기 순도측정 단계는상기 라만 분석 단계에서 측정된 라만 피크들 중 가로 광학(Transverse-Optical, TO) 포논 모드의 라만 피크와 세로 광학(longitudinal-optical, LO) 포논 모드의 라만 피크의 분광강도 비(TO /LO)를 이용하여 상기 시료의 순도를 측정하는 단계를 포함하는,단결정 성장용 분말의 순도 측정 방법
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입방정상 구조를 가지고, 가로 광학(Transverse-Optical, TO) 포논 모드의 라만 피크와 세로 광학(longitudinal-optical, LO) 포논 모드의 라만 피크의 분광강도 비(TO /LO)가 0
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제8항에 있어서,상기 고순도 단결정 성장용 분말은99
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제8항에 있어서,상기 고순도 단결정 성장용 분말은3C-SiC 분말인 것을 특징으로 하는,고순도 단결정 성장용 분말
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제8항에 있어서,상기 고순도 단결정 성장용 분말은입자의 평균 입경이 10μm 이내인 것을 특징으로 하는,고순도 단결정 성장용 분말
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