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1
Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되고, 융점이 820℃ ~ 860℃인 액상소결 첨가제를 사용하는 ZnO계 바리스터 조성물로서, ZnO : 71 ~ 99
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제1항에 있어서,상기 ZnO는 81 ~ 98
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제1항에 있어서,상기 Zn2BixCryVO6는 0
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제1항에 있어서,상기 Mn 산화물은 MnO, MnO2, Mn2O3 및 Mn3O4 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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제1항에 있어서,상기 Co 산화물은 CoO, Co2O3 및 Co3O4 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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6
제1항에 있어서,상기 SiO2는1 ~ 20 mol%로 첨가된 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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7
제1항에 있어서,상기 Sb2O3는0
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8
제6항 또는 제7항에 있어서,상기 SiO2와 Sb2O3는 동시에 함께 첨가하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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9
제1항에 있어서,상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Mg 산화물, Ca 산화물, Ni 산화물 및 Al 산화물 중 선택된 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 바리스터 조성물
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10
제9항에 있어서,상기 ZnO계 바리스터 조성물은 MgO 또는 MgCO3 : 0
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11
ZnO계 바리스터 조성물을 디스크 또는 벌크로 성형하는 단계; 상기 디스크 또는 벌크의 대향하는 양면에 금속전극을 부착하는 단계; 및 상기 금속전극이 부착된 상기 디스크 또는 벌크를 소결하여 바리스터를 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 ZnO : 71 ~ 99
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12
ZnO계 바리스터 조성물을 복수의 후막 시트로 형성하는 단계;상기 복수의 후막 시트 각각의 표면에 금속전극을 부착한 후, 상기 금속전극 이 부착된 복수의 후막 시트를 적층하여 하나의 벌크를 형성하는 단계; 및 상기 벌크를 소성하여 적층형 바리스터를 제조하는 단계;를 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 ZnO : 71 ~ 99
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13
제11항 또는 제12항에 있어서,상기 소결은 900 ~ 1,300℃ 조건에서 0
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14
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 금속전극은 Ag, Ag-Pd, Pd 및 Pt 중 선택된 어느 하나의 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법
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15
ZnO계 바리스터 조성물로 이루어진 디스크형 또는 벌크형의 소결체; 및 상기 소결체의 대향하는 양면에 형성되어 전기신호의 입출력을 기능하는 금속전극;을 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되고, 융점이 820℃ ~ 860℃인 액상소결 첨가제를 사용하며, ZnO : 71 ~ 99
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16
복수로 적층되어 하나의 벌크를 구성하며, ZnO계 바리스터 조성물로 이루어진 소결체; 상기 소결체 각각의 양면에 부착되고, 상기 벌크의 내부에 상하로 서로 이격되도록 순차적으로 매설된 복수의 내부전극; 및 상기 벌크의 양 측면에 부착되고 상기 복수의 내부전극에 각각 전기적으로 연결되어 전기신호의 입출력을 기능을 수행하는 외부전극단자;를 포함하며, 상기 ZnO계 바리스터 조성물은 Bi2O3, V2O5, Pr6O11 및 Pr2O3가 의도적으로 미 첨가되고, 융점이 820℃ ~ 860℃인 액상소결 첨가제를 사용하며, ZnO : 71 ~ 99
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17
제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 내부전극은 Ag, Ag-Pd, Pd 및 Pt 중 선택된 어느 하나의 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 바리스터
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