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초고주파 소자용 복합체 세라믹스 조성물에 있어서,(NaxK1-x)2MoO4 (이때, 상기 x는 0
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제1항에 있어서,상기 조성은 상기 육방정계 질화보론(h-BN)을 함유하고 상기 육방정계 질화보론(h-BN)의 첨가량은 상기 유전체 세라믹 조성물의 총량대비 최대 20wt% 이하인 초고주파 소자용 복합체 세라믹스 조성물
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제1항에 있어서,상기 조성은 상기 육방정계 질화보론(h-BN)을 함유하고 상기 육방정계 질화보론(h-BN)은 입경이 대략 150㎚~1
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제3항에 있어서,상기 육방정계 질화보론(h-BN)은 판형(flake) 분말인 초고주파 소자용 복합체 세라믹스 조성물
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제1항에 있어서,상기 조성은 상기 질화보론 나노튜브(BNNT)를 함유하고, 상기 질화보론 나노튜브(BNNT)의 첨가량은 상기 유전체 세라믹 조성물의 총량대비 0
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제1항에 있어서,상기 조성은 상기 질화보론 나노튜브(BNNT)를 함유하고, 상기 질화보론 나노튜브(BNNT)의 튜브 직경은 5~100 ㎚ 범위인 초고주파 소자용 복합체 세라믹스 조성물
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제1항에 있어서,475~625℃ 범위의 온도에서 소결되어 고용체를 이루는 초고주파 소자용 복합체 세라믹스 조성물
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제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 의한 초고주파 소자용 복합체 세라믹스 조성물과, Au, Ag, Cu 및 Al 중의 하나 이상의 소재로 구성되어 상기 복합체 세라믹스 조성물의 표면에 배치된 금속 전극을 포함하는 초고주파 소자용 세라믹 기판
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초고주파 소자용 세라믹 기판의 제조방법에 있어서,제1항 내지 제6항 중의 아느 한 항에 의한 복합체 세라믹스 조성물의 슬러리로부터 단일 또는 복수의 그린 테이프를 형성하는 단계와;상기 단일의 그린 테이프의 표면에 하나 이상의 금속 전극을 배치하거나, 또는 상기 복수의 그린 테이프 중의 하나 이상의 표면에 하나 이상의 금속 전극을 배치한 후 상기 복수의 그린 테이프를 적층하여 그린 테이프 적층체를 형성하는 단계와;상기 단일의 그린 테이프 또는 상기 그린 테이프 적층체를 상기 하나 이상의 금속 전극과 함께 동시소성하는 단계를 포함하는 초고주파 소자용 세라믹 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 동시소성하는 단계는 475~625℃ 범위의 온도에서 수행되는 초고주파 소자용 세라믹 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 필러는 상기 질화보론 나노튜브(BNNT)만으로 구성되고, 상기 동시소성하는 단계는 500~525℃ 범위로 조절되는 초고주파 소자용 세라믹 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 필러는 상기 육방정계 질화보론(h-BN)만으로 구성되고, 상기 동시소성하는 단계는 550~575℃ 범위로 조절되는 초고주파 소자용 세라믹 기판의 제조방법
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제9항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 동시소성하는 단계는 대기 중에서 수행되는 초고주파 소자용 세라믹 기판의 제조방법
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제9항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 금속 전극의 소재는 Au, Ag, Cu 및 Al 중에서 하나 이상 선택하는 초고주파 소자용 세라믹 기판의 제조방법
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