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가열되어 내부에서 반도체 원료를 용융하는 밀폐구조의 도가니; 및상하로 관통된 관통구를 구비하고, 상기 도가니의 상부를 관통하며, 상기 반도체 원료의 용융액에 하단이 잠기는 슬릿을 포함하며,상기 슬릿으로 상승하는 상기 용융액의 모세관력으로 인한 상승 높이 대 상기 관통구의 수평방향 단면의 넓이의 비가 2
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제1항에 있어서,상기 반도체 원료는 Ga2O3인 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제2항에 있어서,상기 도가니는 이리듐으로 만든 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제3항에 있어서,상기 상승 높이와 상기 관통구의 수평방향 단면의 넓이의 비가 2
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제1항에 있어서,상기 반도체 원료는 실리콘인 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제5항에 있어서,상기 도가니는 그라파이트로 만든 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제5항에 있어서,상기 도가니의 지름은 102mm이상이고 높이는 48mm이상 53mm이하이며 장입된 상기 실리콘의 양은 406g이하인 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제5항에 있어서,상기 슬릿의 높이는 56mm이하인 것을특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제1항에 있어서,상기 관통구는 직육면체 구조인 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제9항에 있어서,상기 관통구의 안측 너비를 w, 상기 관통구의 안측 두께를 t라고 할 때, w와 t의 관계식은 하기 [수학식 4]와 같은 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치[수학식 4]단, 여기서 σ는 용융액의 표면장력, w는 관통구 단면인 직사각형의 너비, t는 관통구 단면인 직사각형의 두께, θ는 용융액과 슬릿의 평형 접촉각, ρ는 용융액의 밀도, g는 중력 가속도이다
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제1항에 있어서,상기 슬릿은 상기 도가니의 중심에 위치한 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제1항에 있어서,상기 관통구는 상기 도가니의 용융액과 통공되는 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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제1항에 있어서,상기 슬릿의 너비는 2인치인 것을 특징으로 하는 EFG용 잉곳 성장장치
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