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SiC 기판을 열처리하여 상기 SiC 기판상에 그래핀을 형성시키는 그래핀 형성 단계;상기 성장된 그래핀을 식각하는 식각단계; 및상기 식각된 그래핀에 ε-Ga2O3를 포함하는 산화물층을 성장시키는 산화물 성장단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 형성단계는상기 SiC 기판의 전체 두께 대비 20% 이상의 두께로 그래핀을 형성시키는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 형성단계는 수소 가스 분위기 하에서 1차 열처리하는 1차 열처리 단계; 및아르곤 가스 분위기 하에서 2차 열처리하는 2차 열처리 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 1차 열처리 단계는수소 가스유량 2slm 이상, 압력 550torr 이상에서 1600℃ 이상의 온도로 10분이상 열처리하는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 2차 열처리 단계는아르곤 가스유량 5slm이상, 압력 550torr이상에서 1600℃ 이상의 온도로 20분이상 열처리하는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각단계는상기 형성된 그래핀을 상기 SiC 기판 전체 두께 대비 10% 이하의 두께로 식각하는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각단계는 상기 형성된 그래핀을 그래핀 층수가 1 내지 5층이 되도록 식각하는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각단계는상기 SiC 기판의 표면 노출영역의 비율이 30% 이상 되도록 마스크를 덧대어 식각하는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각단계는 플라즈마를 이용한 식각 공정인,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 식각단계는N2, O2, Ar, H2 또는 CH4 중 적어도 하나 이상 선택된 가스로 가스 유량 300sccm 이상, 압력 0
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제1항에 있어서,상기 산화물 성장단계는전체 상(phase) 대비 ε-Ga2O3를 50~100%로 포함하는 Ga2O3 산화물을 성장시키는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 성장단계는미스트 화학 기상 증착(Mist-CVD)방식으로 Ga2O3 산화물을 성장시키는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 산화물 성장단계는대기 가스유량 5 L/min 상압에서 500℃ 내지 700℃ 이상 온도로 60분 이상 처리하여 Ga2O3 산화물을 생성하는 단계를 포함하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판 제조 방법
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SiC 기판;상기 SiC 기판 상의 그래핀층; 및상기 그래핀층 상에 배치되고, ε-Ga2O3를 포함하는 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판
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제14항에 있어서,상기 그래핀층은 n개의 복수의 그래핀 층들로 구성된 제1 부분; 및n보다 적은 m개의 복수의 그래핀 층들로 구성된 제2 부분을 포함하고,상기 산화물층은 상기 제2 부분 상에 배치되는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판
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제15항에 있어서,상기 그래핀층의 상기 제2 부분의 층 수 m은 1 내지 5인 것을 특징으로 하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판
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제15항에 있어서,상기 그래핀층의 상기 제1 부분의 층 수 n은 10이상인 것을 특징으로 하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판
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제15항에 있어서,상기 그래핀층의 상기 제2 부분에 대한 라만 스펙트럼 분석 시, 라만 피크 2D/G 비율은 0
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제15항에 있어서,상기 그래핀층의 상기 제2 부분의 접촉각은 40° 내지 70° 이고, 상기 그래핀층의 상기 제1 부분의 접촉각은 70° 초과 80° 이하인 것을 특징으로 하는, ε-Ga2O3 에피택셜 기판
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제15항에 있어서,상기 산화물층은 전체 상 대비 상기 ε를 50 내지 100% 포함하는 것을 특징으로 하는,ε-Ga2O3 에피택셜 기판
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