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기판을 챔버 내에 구비된 기판 홀더에 장착하는 단계;전자총으로부터 주사된 전자빔이 제1 도가니 내에 수용된 산화물 증발소스로 입사되게 하고, 상기 전자빔이 상기 산화물 증발소스에 입사됨에 따라 상기 산화물 증발소스가 가열·용융되어 기화되는 단계; 제2 도가니 내에 수용된 불화물이 기화되는 단계; 및상기 산화물 증발소스로부터 발생된 증발기체와 상기 불화물로부터 발생된 불소를 함유하는 기체가 상기 기판 쪽으로 진행되고, 상기 산화물 증발소스로부터 발생된 증발기체와 불화물로부터 발생된 불소를 포함한 기체가 반응하여 상기 기판 위에 산불화물이 증착되는 단계를 포함하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 증발소스는 Y2O3 및 Al2O3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 불화물은 고체 물질인 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 불화물은 NH4F, NH5F2, MgF2, AlF3 및 YF3로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 기판의 온도는 100∼700℃ 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 전원공급장치를 통해 상기 전자총에 인가되는 파워는 1∼10kW 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 증발소스가 증발되는 동안에 상기 챔버의 진공도가 0
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제1항에 있어서, 상기 기판 홀더는 1∼100rpm 범위의 속도로 회전되게 설정하여 상기 기판 상에 산불화물 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 산화물 증발소스가 증발되는 동안에 가스공급수단을 통해 상기 챔버 내에 산소가 공급되게 하고, 공급되는 산소의 유량이 0
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제1항에 있어서, 상기 산불화물 코팅막이 증착되는 속도는 10∼200㎚/min 범위를 이루게 제어하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 산불화물 코팅막의 두께는 0
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제1항에 있어서, 상기 불화물이 담긴 제2 도가니의 숫자를 조절하여 불화물의 증발량을 조정함으로써 산불화물에 함유되는 불소 함량을 조절하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 불화물을 수용하는 제2 도가니 덮개의 개구부를 조절하여 상기 불화물의 증발량을 조절하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제13항에 있어서, 상기 제2 도가니 덮개의 개구부 개폐 정도를 시간에 따라 제어하여 증착되어 형성되는 산불화물 코팅막의 불소 함량을 제어하는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 불화물은 별도의 가열이 없이도 증발되거나 저항식 전기가열을 사용하여 증발되는 것을 특징으로 하는 내플라즈마 산불화물 코팅막의 형성방법
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