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베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2023005921
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 베타 산화갈륨 기판에 불순물로 존재하는 Si의 집중 현상과 확산을 방지하기 위해 p-형 도펀트가 도핑된 베타 산화갈륨 에피층을 확산 방지막으로 사용하는 것에 의해, 안정적으로 전자농도 조절이 가능한 n-형 도펀트가 도핑된 베타 산화갈륨 에피층을 성장시킬 수 있는 베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물은 베타 산화갈륨 기판; 상기 베타 산화갈륨 기판의 상면 상에 적층된 적어도 하나의 확산 방지막; 및 상기 확산 방지막 상에 적층된 적어도 하나의 베타 산화갈륨 에피층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C30B 25/22 (2006.01.01) C30B 25/18 (2006.01.01) C30B 29/16 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC C30B 25/22(2013.01) C30B 25/18(2013.01) C30B 29/16(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02576(2013.01) H01L 21/02483(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020220115635 (2022.09.14)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-2557908-0000 (2023.07.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20230720) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.09.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전대우 경상남도 진주시 충의로 ***, **
2 박지현 전라북도 군산시 궁포*로 ** e편한세상디오션시티 *
3 황종희 경상남도 진주시
4 김진호 경상남도 진주시 초장로 *
5 이영진 경상남도 진주시
6 이미재 경상남도 진주시 소
7 김선욱 경상남도 진주시 대밭골로 **, ***
8 김선재 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0963056-74
2 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
 2022.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0963524-30
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2022.09.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2022.09.26 수리 (Accepted) 9-1-2022-0014545-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2023.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0370667-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2023.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2023-0656322-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2023.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2023-0656321-91
8 등록결정서
Decision to grant		 2023.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2023-0645322-25
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번호 청구항
1 1
베타 산화갈륨 기판; 상기 베타 산화갈륨 기판의 상면 상에 적층 형성된 적어도 하나의 확산 방지막; 및 상기 확산 방지막 상에 적층 형성된 적어도 하나의 베타 산화갈륨 에피층;을 포함하며, 상기 베타 산화갈륨 기판은 Si이 불순물로 함유되어 있으며, 상기 확산 방지막은 Si 불순물의 확산을 차단하기 위해 p형 도펀트가 도핑된 베타 산화갈륨 에피층이 이용되고, 상기 확산 방지막은 제1 두께로 형성되고, 상기 베타 산화갈륨 에피층은 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께로 형성되되, 상기 확산 방지막은 100nm 이상의 두께로 형성되고, 상기 확산 방지막 및 베타 산화갈륨 에피층은 복수개가 서로 교번적으로 수직 적층되고, 상기 수직 적층된 복수의 베타 산화갈륨 에피층은 1016 cm-3 ~ 1019 cm-3 의 범위에서 전자농도가 조절되되, 상기 수직 적층된 복수의 베타 산화갈륨 에피층은 최하부 베타 산화갈륨 에피층에서 최상부 베타 산화갈륨 에피층으로 갈수록 전자농도가 증가하도록 배치된 것을 특징으로 하는 베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물
2 2
제1항에 있어서,상기 베타 산화갈륨 에피층은 n형 도펀트가 도핑된 베타 산화갈륨 에핑층인 것을 특징으로 하는 베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물
3 3
제2항에 있어서,상기 n형 도펀트는 Si, Sn 및 Ge 중 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물
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삭제
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제1항에 있어서,상기 p형 도펀트는 Mg, N 및 Fe를 포함하는 V족 원소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물
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삭제
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삭제
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삭제
9 9
삭제
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삭제
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(a) 베타 산화갈륨 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 베타 산화갈륨 기판의 상면 상에 적어도 하나의 확산 방지막을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 확산 방지막 상에 적어도 하나의 베타 산화갈륨 에피층을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 베타 산화갈륨 기판은 Si이 불순물로 함유되어 있으며, 상기 확산 방지막은 Si 불순물의 확산을 차단하기 위해 p형 도펀트가 도핑된 베타 산화갈륨 에피층이 이용되고, 상기 확산 방지막은 제1 두께로 형성되고, 상기 베타 산화갈륨 에피층은 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께로 형성되되, 상기 확산 방지막은 100nm 이상의 두께로 형성되고, 상기 확산 방지막 및 베타 산화갈륨 에피층은 복수개가 서로 교번적으로 수직 적층되고, 상기 수직 적층된 복수의 베타 산화갈륨 에피층은 1016 cm-3 ~ 1019 cm-3 의 범위에서 전자농도가 조절되되, 상기 수직 적층된 복수의 베타 산화갈륨 에피층은 최하부 베타 산화갈륨 에피층에서 최상부 베타 산화갈륨 에피층으로 갈수록 전자농도가 증가하도록 배치된 것을 특징으로 하는 베타 산화갈륨 단결정 기판 기반에 확산 방지막을 성장시킨 전자소자 기판 구조물 제조 방법
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1 과학기술정보통신부 한국세라믹기술원 나노 및 소재 기술개발사업 2.5kV 급 수직형, 수평형 전력반도체 소자용 4 인치 대구경산화갈륨 에피 성장 상용화 기술