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기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판 상에 MOCVD 방식을 이용하여 Ⅲ족 전구체 및 Ⅵ족 전구체를 반응시켜 산화갈륨 박막을 성장시키는 단계;를 포함하며, 상기 산화갈륨 박막 성장 단계에서, 상기 Ⅵ족 전구체를 0
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제1항에 있어서,상기 기판은 상기 산화갈륨 박막과 이종 재질이 이용되는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 기판은 알파 산화갈륨 기판, 베타 산화갈륨 기판, 사파이어 기판 및 에피텍셜 성장 가능한 이종 기판 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판 준비 단계와 상기 산화갈륨 박막 성장 단계 사이에, 버퍼층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 Ⅲ족 전구체는 트리메틸갈륨(TMGa) 및 트리에틸갈륨(TEGa) 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 Ⅲ족 전구체는 1 ~ 100sccm의 공급 유량 조건으로 공급하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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7
제1항에 있어서,상기 Ⅵ족 전구체는 O2, N2O 및 H2O 중 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 Ⅵ족 전구체로 O2를 이용할 시, 하기 식 1을 만족하고, 상기 Ⅵ족 전구체로 N2O를 이용할 시, 하기 식 2를 만족하고, 상기 Ⅵ족 전구체로 H2O를 이용할 시, 하기 식 3을 만족하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화갈륨 박막 성장 단계에서, 성장 온도는 400 ~ 1,000℃ 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화갈륨 박막 성장 단계에서, 상기 산화갈륨 박막 성장시, 도핑 처리를 함께 실시하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 도핑 처리시, 도핑 원소는 Si, Sn, Ge, N, Fe 및 Mg 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질의 대면적 초박형 산화갈륨 박막 제조 방법
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