| 1 |
1
알루미늄(Al) 및 안티모니(Sb)를 함유한 산화물을 포함하는, 산화물 반도체
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 내의 알루미늄(Al) 및 안티모니(Sb)의 몰비가 10 : 1 내지 1 : 10인, 산화물 반도체
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서, 상기 산화물은 하기 화학식 1로 표시되는, 산화물 반도체:[화학식 1]AlxSbyOz여기서 1 ≤ x ≤ 8, 1 ≤ y ≤ 8, 및 1 ≤ z ≤ 15이다
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 산화물은 AlSbO4, AlSbO3, Al4Sb2O9, Al2Sb4O13, Al4Sb2O11 및 Al2Sb4O9로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 산화물 반도체
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 n-타입의 전기전도도가 80 1/fΩ/m/s 이상이고, 밴드갭이 1
|
| 6 |
6
알루미늄 전구체를 함유하는 제 1 전구체 용액, 및 안티모니 전구체를 함유하는 제 2 전구체 용액을 혼합하여 졸-겔 용액을 제조하는 단계; 및 상기 졸-겔 용액을 기재 상에 코팅하여 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 제 1 항의 산화물 반도체의 제조방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 알루미늄 전구체가 알루미늄 클로라이드, 알루미늄 클로라이드 헥사하이드레이트, 알루미늄 아세테이트, 알루미늄 디아세테이트, 알루미늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 설페이트 하이드레이트, 알루미늄 하이드록사이드 하이드레이트, 및 알루미늄 이소프로폭사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종이고; 상기 안티모니 전구체가 안티모니 클로라이드(III), 안티모니 클로라이드(V), 안티모니 아세테이트(III), 안티모니 설파이드(III), 안티모니 설파이드(V), 안티모니 플루오라이드(III), 안티모니 플루오라이드(V) 및 안티모니 에톡사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 산화물 반도체의 제조방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서, 상기 졸-겔 용액이 아세토나이트릴, 에틸렌글리콜, 2-메톡시에탄올, 에탄올, 메탄올, 디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드 및 탈이온수로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 용매를 포함하는, 산화물 반도체의 제조방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서, 상기 졸-겔 용액의 농도가 0
|
| 10 |
10
제 6 항에 있어서, 상기 졸-겔 용액이 탈이온수, 과산화수소, 모노에탄올아민 및 아세틸아세톤으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 첨가제를 추가로 포함하는, 산화물 반도체의 제조방법
|
| 11 |
11
제 6 항에 있어서, 상기 졸-겔 용액의 제조가 25℃ 내지 140℃에서 1시간 내지 72시간 수행되는, 산화물 반도체의 제조방법
|
| 12 |
12
제 6 항에 있어서, 상기 코팅 이후에 열처리하는 단계를 추가로 포함하며, 상기 열처리는 공기 또는 질소 분위기에서 150℃ 내지 1000℃의 온도로 30분 내지 5시간 수행되는, 산화물 반도체의 제조방법
|
| 13 |
13
기재 상에 알루미늄 전구체 및 안티모니 전구체를 스퍼터링 증착하여 알루미늄 및 안티모니를 함유하는 산화물 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 제 1 항의 산화물 반도체의 제조방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서, 상기 알루미늄 전구체가 산화알루미늄을 포함하고, 상기 안티모니 전구체가 산화안티모니를 포함하는, 산화물 반도체의 제조방법
|
| 15 |
15
제 13 항에 있어서, 상기 스퍼터링 증착이 아르곤 가스 및 산소 가스를 주입하며 수행되고, 상기 아르곤 가스 및 산소 가스의 분압 비가 20 : 0
|
| 16 |
16
제 13 항에 있어서, 상기 스퍼터링 증착 이후에 열처리하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 열처리가 공기 또는 질소 분위기에서 150℃ 내지 1000℃의 온도로 30분 내지 5시간 수행되는, 산화물 반도체의 제조방법
|
| 17 |
17
기재, 상기 기재 상에 형성된 유전층, 상기 유전층 상에 형성된 제 1 항의 산화물 반도체를 포함하는 반도체층, 및상기 반도체층 상에 형성된 전극을 포함하는, 반도체 소자
|
| 18 |
18
제 17 항에 있어서, 상기 반도체층의 두께가 5 nm 내지 50 nm 범위인, 반도체 소자
|
| 19 |
19
제 17 항의 반도체 소자를 포함하는, 박막 트랜지스터
|
| 20 |
20
제 19 항의 박막 트랜지스터를 포함하는, 디스플레이 장치
|
