| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는, 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C8-C15알콕시기, 치환 또는 비치환된 C8-C15헤테로아릴C8-C15알킬기, 및 치환 또는 비치환된 C6-C15아릴C8-C15알킬기로 이루어지는 군으로부서 선택되고, 상기 헤테로아릴은 고리 내 O,S 및 N으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고,R3 및 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C8-C15알킬기이고,X는 O 또는 S이고,n은 5 내지 100의 정수인 것을 특징으로 하는, 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 신규 벤조비스옥사졸계 고분자는 하기 화학식 1a로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는, 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 화학식 1의 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자는 수 평균 분자량이 10,000 내지 100,000인 것을 특징으로 하는 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 화학식 1의 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자는 350-600 nm 파장의 녹색 영역의 광을 흡수하는 것을 특징으로 하는 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자
|
| 6 |
6
하기 반응식 1로 표시되는, 유기용매 및 촉매 하에서 화학식 2의 벤조디티오펜(BDTT)계 모이어티 화합물과 화학식 3의 벤조비스옥사졸(BBO)계 모이어티 화합물을 중합 반응시켜 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는,신규 벤즈비스옥사졸계 고분자의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,화학식 3의 벤조비스옥사졸(BBO)계 모이어티 화합물은, 하기 반응식 2로 표시되는 바와 같이, 화학식 4의 브로마닐과 암모니아 간에 친핵 치환 반응을 수행하여 아민화된 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계(S10);상기 S10 단계에서 제조된 화학식 5의 화합물에 환원제를 이용하여 화학식 6의 디알콜 화합물을 제조하는 단계(S20); 및상기 S20 단계에서 제조된 화학식 6의 디알콜 화합물을 폴리트리메틸실릴 포스페이트 및 알킬할라이드와 반응시켜 화학식 3의 벤조비스옥사졸(BBO)계 모이어티 화합물을 제조하는 단계(S30)를 포함하는 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,S10 및 S20 단계에서 합성된 화합물은 추가 정제 과정을 수행하지 않고 다음 단계로 진행되는 것을 특징으로 하는, 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자의 제조방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,중합 반응 후 생성된 고분자를 메탄올, 아세톤 및 클로로포름으로 속슬렛(Soxhlet) 추출하여 촉매 및 미반응 물질을 제거하는 정제 단계를 추가적으로 수행하는 것을 특징으로 하는, 신규 벤즈비스옥사졸계 고분자의 제조방법
|
| 10 |
10
하기 화학식 1의 신규 벤조비스옥사졸계 고분자를 포함하는 광전도층
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 광전도층은 전자 어셉터 고분자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전도층
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 전자 어셉터 고분자는 PCBM 고분자인 것을 특징으로 하는 광전도층
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 광전도층은 상기 화학식 1의 신규 벤조비스옥사졸계 고분자와 PCBM 고분자를 유기 용매에 용해시켜 용액공정으로 형성된 박막인 것을 특징으로 하는 광전도층
|
| 14 |
14
서로 마주하는 애노드와 캐소드; 그리고상기 애노드와 캐소드 사이에 위치하는, 하기 화학식 1의 신규 벤조비스옥사졸계 고분자를 포함하는 광전도층;을 포함하는 유기 광검출기
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 유기 광검출기는 1×1013 Jones 이상의 광검출능과 20 μs 이하의 응답속도를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 광검출기
|
| 16 |
16
제14항의 유기 광검출기를 포함하는 유기 이미지 센서
|
